新居 浩二 | ルネサステクノロジー

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概要

• 同名の論文著者
• ルネサステクノロジーの論文著者

関連著者

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジー

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジ

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 新居 浩二

  株式会社ルネサステクノロジ

• 塚本 康正

  株式会社ルネサステクノロジ

• 薮内 誠

  株式会社ルネサステクノロジ

• 牧野 博之

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 牧野 博之

  ルネサステクノロジ

• 今岡 進

  株式会社ルネサスデザイン

• 篠原 尋史

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 大林 茂樹

  株式会社ルネサステクノロジ

• 篠原 尋史

  株式会社ルネサステクノロジ

• 川口 博

  神戸大学大学院工学研究科

• 山上 由展

  松下電器産業

• 森田 泰弘

  神戸大学

• 森田 泰弘

  宇宙科学研

• 山上 由展

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 五十嵐 元繁

  株式会社ルネサステクノロジ

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 山口 泰男

  株式会社ルネサステクノロジ

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi開発研究所

• 新居 浩二

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 塚本 康正

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 塚本 康正

  ルネサステクノロジ

• 吉澤 知晃

  ルネサステクノロジ

• 石橋 孝一郎

  (株)ルネサステクノロジ

• 石橋 孝一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 石橋 孝一郎

  ルネサスエレクトロニクス

• 藤原 英弘

  ルネサスエレクトロニクス(株)技術開発本部設計基盤開発統括部基盤メモリIP開発部

• 藤原 英弘

  神戸大学大学院自然科学研究科

• 一法師 隆志

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ

• 前川 繁登

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 今岡 進

  ルネサスデザイン

• 鈴木 利一

  松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター

• 柴山 晃徳

  松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター

• 鈴木 利一

  松下電器産業

• 柴山 晃徳

  松下電器産業株式会社

• 新居 浩二

  神戸大学大学院自然科学研究科

• 野口 紘希

  神戸大学大学院自然科学研究科

• 宮越 純一

  神戸大学大学院自然科学研究科

• 新居 浩二

  三菱電機(株)

• 井口 友輔

  神戸大学大学院工学研究科

• 今岡 進

  (株)ルネサスデザイン

• 岩出 秀平

  大阪工業大学情報科学部コンピュータ科学科

• 藪内 誠

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 榎本 忠儀

  中央大学理工学部

• 藤原 英弘

  神戸大学

• 井口 友輔

  神戸大学

• 野口 紘希

  神戸大学

• 吉本 雅彦

  神戸大学

• 森田 泰弘

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 石倉 聡

  松下電器産業

• 川口 博

  神戸大学 工学部 情報知能工学科

• 平野 有一

  三菱電機(株)

• 前田 茂伸

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 平野 有一

  (株)ルネサステクノロジ

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 川島 光

  株式会社ルネサステクノロジ

• 寺野 登志夫

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 赤松 寛範

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 薮内 誠

  ルネサステクノロジ

• 大林 茂樹

  ルネサステクノロジ

• 篠原 尋史

  ルネサステクノロジ

• 赤松 寛範

  松下電器産業(株)半導体先行開発センター

• 赤松 寛範

  松下電器産業

• 里見 勝治

  松下電器産業

• 平野 有一

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 岩松 俊明

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 榎本 忠儀

  中央大学理工学研究所

• 永田 真

  神戸大学大学院工学研究科情報知能学専攻

• 川口 博

  神戸大学工学部

• 吉本 雅彦

  神戸大学工学部

• 川上 健太郎

  神戸大学大学院自然科学研究科

• 三上 真司

  金沢大学大学院自然科学研究科

• 吉本 雅彦

  神戸大学大学院自然科学研究科

• 上田 公大

  三菱電機(株) システムLSI研究所

• 井上 靖朗

  三菱電機(株)

• 益子 耕一郎

  三菱電機(株)

• 益子 耕一郎

  三菱電機株式会社システムlsi事業化推進センター

• 上田 公大

  三菱電機株式会社

• 永田 真

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 里見 勝治

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 薮内 誠

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 大林 茂樹

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 篠原 尋史

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 澤田 卓也

  神戸大学大学院工学研究科

• 石橋 孝一郎

  ルネサステクノロジ

• 竹内 雅彦

  株式会社ルネサステクノロジ

• 牧野 博之

  株式会社ルネサステクノロジ

• 塚本 和宏

  株式会社ルネサステクノロジ

• 石橋 孝一郎

  株式会社ルネサステクノロジ

• 増田 康浩

  ルネサスデザイン

• 五十嵐 元繁

  ルネサステクノロジ

• 冨田 和朗

  ルネサステクノロジ

• 坪井 信生

  ルネサステクノロジ

• 吉澤 知晃

  (株)ルネサステクノロジ

• 高柳 万里子

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所

• 榎本 忠儀

  中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻

• 西村 正

  三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター

• 西村 正

  三菱電機株式会社ulsi技術開発センター

• 奥村 俊介

  神戸大学

• 新居 浩二

  神戸大学

• 村地 勇一郎

  神戸大学大学院自然科学研究科

• 崎山 史朗

  松下電器産業(株) 戦略半導体開発センタ

• 奥村 俊介

  神戸大学大学院工学研究科

• 水野 弘之

  (株)日立製作所中央研究所

• 前川 繁登

  三菱電機(株)LSI研究所

• 前田 茂伸

  三菱電機(株)

• 岩松 俊明

  三菱電機(株)

• 山口 泰男

  三菱電機(株)

• 一法師 隆志

  三菱電機(株)

• 西村 正

  三菱電機(株)

• 和田 佳樹

  三菱電機(株)

• 西村 正

  三菱電機ULSI開発研究所

• 石川 清志

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 廣田 尊則

  三菱電機(株)システムLSI事業統括部

• 浜野 尚徳

  三菱電機(株)システムLSI事業統括部

• 前田 茂伸

  ULSI開発研究所

• 岩松 俊明

  ULSI開発研究所

• 山口 泰男

  ULSI開発研究所

• 一法師 隆志

  ULSI開発研究所

• 前川 繁登

  ULSI開発研究所

• 大路 譲

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 大芦 敏行

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 高柳 万里子

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 車田 総希

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 粉谷 直樹

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 由上 二郎

  (株)日立製作所 中央研究所

• 大路 譲

  株式会社日立製作所半導体事業部

• 国清 辰也

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 石川 清志

  株式会社ルネサステクノロジ

• 由上 二郎

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 佐藤 成生

  富士通研究所

• 岩出 秀平

  大阪工業大学情報科学部

• 岩出 秀平

  三菱電機(株)システムlsi開発研究所

• 岩出 秀平

  大阪工業大学

• 濱田 基嗣

  東芝セミコンダクター社

• 平野 有一

  株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 一法師 隆志

  株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 前川 繁登

  株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 入江 直彦

  (株)日立製作所 中央研究所

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 野村 昌弘

  STARC

• 西山 彰

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 入江 直彦

  (株)日立製作所中央研究所

• 長谷 卓

  日本電気システムデバイス研究所

• 由上 二郎

  ルネサステクノロジ生産本部

• 西山 彰

  東芝研究開発センター

• 佐藤 成生

  富士通研究所先端cmos開発部

• 木原 雄治

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 由上 二郎

  ルネサス テクノロジ

• 岡野 広

  株式会社富士通研究所システムlsi開発研究所

• 榎本 忠儀

  中央大学理工学部 情報工学科

• 西山 彰

  東芝 研究開発センター

• 中井 將勝

  ソニー株式会社半導体事業本部

• 石田 芳也

  北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科

• 金井 直樹

  北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科

• 小山 健

  徳島文理大学大学院工学研究科

• 島崎 靖久

  (株)ルネサステクノロジ

• 川澄 篤

  株式会社東芝

• 川澄 篤

  東芝セミコンダクター社

• 森田 泰弘

  神戸大学大学院自然科学研究科

• 野口 紘希

  神戸大学工学部

• 川島 光

  三菱電機(株)ULSI研究所LSIプロセス開発第4部

• 松本 拓治

  三菱電機(株)

• 犬石 昌秀

  三菱電機(株)

• 金 逸中

  三菱電機(株)

• 宮本 昭一

  三菱電機(株)

• 新井 浩二

  三菱電機(株)

• 松本 拓治

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 牧野 博之

  三菱電機株式会社 システムLSI開発研究所

• 宮本 昭一

  三菱電機(株) Ulsi開発研究所

• 吉本 秀輔

  神戸大学工学部

• 山岡 雅直

  日立製作所・中央研究所

• 柳沢 一正

  (株)ルネサステクノロジ

• 河原 尊之

  (株)日立製作所中央研究所

• 小田 祐士

  (株)シキノハイテック

• 石橋 孝一郎

  (株)ルネサステクノロジ 製品技術本部設計基盤技術開発部

• 古澤 知晃

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 山岡 雅直

  株式会社日立製作所中央研究所

• 河原 尊之

  株式会社日立製作所中央研究所

• 半澤 悟

  株式会社日立製作所 中央研究所

• 前田 徳章

  株式会社ルネサステクノロジ

• 篠崎 義弘

  株式会社日立超LSIシステムズ

• 島崎 靖久

  株式会社ルネサステクノロジ

• 島田 茂

  株式会社ルネサステクノロジ

• 柳沢 一正

  株式会社ルネサステクノロジ

• 清水 徹

  三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター

• 水野 弘之

  日立製作所中央研究所

• 中瀬 泰伸

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 高田 英裕

  株式会社ルネサステクノロジ

• 岡野 広

  富士通研

• 中井 將勝

  ソニー

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著作論文

• ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• DVS環境下での小面積・低電圧動作8T SRAMの設計(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• DVS環境下での小面積・低電圧動作8T SRAMの設計(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• ビット線電力を74%削減する動画像処理応用10T非プリチャージ2-portSRAMの設計(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
• ビット線の電力を削減する実時間動画像処理応用2-port SRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
• A-3-11 ビット線電力を8割削減する動画像処理応用10T非プリチャージ2-port SRAM(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
• C-12-42 ビット線充放電電力を53%削減する動画像処理応用2-port SRAM(C-12.集積回路D(メモリ),一般講演)
• しきい値電圧ばらつきを克服したDVS環境下における0.3V動作SRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• AS-2-2 動的電圧制御環境下における0.3-V動作64-kb SRAM(AS-2. ASPLA 90nmを用いたVLSIの研究開発,シンポジウム)
• パーシャルトレンチ分離構造を用いたバルクレイアウト互換0.18μm SOI CMOS技術
• フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
• 部分空乏型トランジスタを用いたCADライブラリ共有型SOI/CMOSゲートアレイ
• カラム線制御回路を用いた0.56V動作128-kb 10T小面積SRAM(メモリ技術)
• 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
• 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
• 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法(新メモリ技術とシステムLSI)
• 高集積・低電力を実現した90nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI一般 : ISSCC2004特集)
• 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
• タイミング自己調整回路を用いた低消費電カデュアルポートSRAMの開発(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
• 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較
• 書き込みマージンを増加させた低電力SoC向け混載SRAM(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集1 SRAM)
• タイミング自己調整回路を用いた低消費電力デュアルポートSRAMの開発
• 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM
• ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 部分空乏型トランジスタを用いたCADライブラリ共有型SOI/CMOSゲートアレイ
• 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• Dynamic Voltage & Frequency scaling : ディープサブ100-nmを救えるか!(電源制御,パワーゲーティング,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• Dynamic Voltage & Frequency Scaling : ディープサブ100-nmを救えるか!(電源制御,パワーゲーティング, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• しきい値電圧ばらつきを克服したDVS環境下における0.3V動作SRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100mm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100nm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 基板バイアス自動制御MT-CMOS回路技術を用いたLSIの低消費電力化
• 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nm DP-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nm DP-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• C-12-2 オンチップ電源ノイズ離散化手法とRF直接電力注入によるSRAMのイミュニティ評価への応用(C-12.集積回路,一般セッション)
• オンチップ診断機構とDPIを用いたSRAMコアのイミュニティ評価(高速デジタルLSI回路技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
• オンチップ診断機構とDPIを用いたSRAMコアのイミュニティ評価(高速デジタルLSI回路技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
• 8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• SRAMとオンチップメモリBISTを用いたチップ固有ID生成回路(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• SRAMのランダムアドレスエラーを用いたPUFの安定化向上手法
• スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 : 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える?(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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