木原 雄治 | ルネサスエレクトロニクス株式会社

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概要

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関連著者

• 木原 雄治

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 吉原 務

  早稲田大学大学院情報生産システム研究科

• 木原 雄治

  ルネサステクノロジ

• 吉原 務

  早稲田大学大学院

• 岡村 怜王奈

  早稲田大学大学院

• 中嶋 泰

  (株)ルネサステクノロジ

• 木原 雄治

  (株)ルネサステクノロジ

• 岡村 怜王奈

  早稲田大学大学院情報生産システム研究科

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス

• 藤原 英弘

  ルネサスエレクトロニクス(株)技術開発本部設計基盤開発統括部基盤メモリIP開発部

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジー

• 有田 豊

  藤田保健衛生大学短期大学

• 佐藤 広利

  ルネサステクノロジ

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 平野 有一

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 岩松 俊明

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジ

• 藤原 英弘

  神戸大学大学院工学研究科

• 井筒 隆

  ルネサステクノロジ

• 中本 正幸

  ルネサステクノロジ

• 宮西 篤史

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 石井 雄一郎

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 千ヶ崎 英夫

  株式会社ルネサスデザイン

• 黒宮 修

  株式会社ルネサスデザイン

• 佐伯 宰

  株式会社ルネサスデザイン

• 藤原 英弘

  ルネサスエレクトロニクス

• 石井 雄一郎

  ルネサスエレクトロニクス:金沢大学

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 岡村 玲王奈

  早稲田大学大学院

• 有田 豊

  (株)ルネサステクノロジ

• 佐藤 広利

  (株)ルネサステクノロジ

• 大石 司

  (株)ルネサステクノロジ

• 木村 史法

  早稲田大学大学院

• 井筒 隆

  (株)ルネサステクノロジMCU事業部

• 中本 正幸

  (株)ルネサステクノロジMCU事業部

• 金 泰潤

  早稲田大学大学院

• 松井 悠亮

  早稲田大学大学院

• 中嶋 泰

  ルネサステクノロジ

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス

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著作論文

• 招待講演 回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現--非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発 (集積回路)
• 動的安定性を用いたセルレシオの小さいSRAM用メモリセル(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機用システムLSI,回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
• ソフトエラー対策としてのSuperSRAM技術(集積エレクトロニクス)
• 回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現 : 非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• DRAM技術を使用した新型SRAM(集積エレクトロニクス)
• MRAMに適したパイプライン型セルフリファレンス手法の検討(新メモリ技術とシステムLSI)
• DRAM技術を用いて特性を改善した16M SRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
• 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nm DP-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nm DP-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

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