藤原 英弘 | ルネサスエレクトロニクス

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概要

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• ルネサスエレクトロニクスの論文著者

関連著者

• 藤原 英弘

  ルネサスエレクトロニクス

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス:金沢大学

• 薮内 誠

  株式会社ルネサステクノロジ

• 藪内 誠

  ルネサスエレクトロニクス

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジー

• 藪内 誠

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジ

• 藤原 英弘

  神戸大学大学院工学研究科

• 河合 浩行

  ルネサスエレクトロニクス

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス

• 藤原 英弘

  ルネサスエレクトロニクス(株)技術開発本部設計基盤開発統括部基盤メモリIP開発部

• 中野 博文

  ルネサスエレクトロニクス

• 有本 和民

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス

• 石井 雄一郎

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 石井 雄一郎

  ルネサスエレクトロニクス:金沢大学

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 前川 考志

  ルネサスエレクトロニクス

• 五十嵐 元繁

  ルネサスエレクトロニクス

• 石原 和哉

  ルネサスエレクトロニクス

• 河合 浩行

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 中野 裕文

  ルネサスエレクトロニクス

• 塚本 康正

  株式会社ルネサステクノロジ

• 五十嵐 元繁

  株式会社ルネサステクノロジ

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 木原 雄治

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 松田 吉雄

  金沢大学

• 宮西 篤史

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 千ヶ崎 英夫

  株式会社ルネサスデザイン

• 黒宮 修

  株式会社ルネサスデザイン

• 佐伯 宰

  株式会社ルネサスデザイン

• 中野 裕文

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 藤原 英弘

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 島崎 靖久

  ルネサスエレクトロニクス

• 松村 哲哉

  日本大学

• 田中 浩司

  ルネサスエレクトロニクス

• 田中 信二

  ルネサスエレクトロニクス

• 新居 浩二

  株式会社ルネサステクノロジ

• 永田 真

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 中田 洋平

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 利川 托

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 澤田 卓也

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 奥村 俊介

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 川口 博

  神戸大学大学院

• 吉本 雅彦

  神戸大学大学院

• 鄭 晋旭

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 島崎 靖久

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 田中 浩司

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 田中 信二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 木美 雄太

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス:金沢大学

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著作論文

• 微細化CMOSスタティックRAMの低消費電力化・高信頼化設計に関する研究(研究会推薦博士論文速報)
• 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nm DP-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nm DP-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 動的基板制御による非対称SRAM
• 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM
• 動的基板制御による非対称SRAM
• 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM
• 8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• SRAMとオンチップメモリBISTを用いたチップ固有ID生成回路(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 8.5 複製防止デバイスPUF : メモリPUF(第8章:セキュリティ,ディペンダブルVLSIシステム)
• 4.5 細粒度アシストバイアス制御SRAM(第4章:素子特性ばらつき,ディペンダブルVLSIシステム)
• 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 動作環境の動的変動を考慮した動作マージン拡大機能を有する自律制御キャッシュ(ポスターセッション,学生・若手研究会)
• 8T DP-SRAM の Write-/Read-Disturb 問題とその対策回路
• SRAMとオンチップメモリ BIST を用いたチップ固有ID生成回路

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