低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
マルチVt非対称Halo MOSを適用した高密度6T-SRAMを提案する。Haloインプラ工程で追加するフォトマスクを工夫することで追加マスク数を2枚に削減し、低コスト化を図る。45mm世代の6T-SRAMビットセルに適用し、面積オーバーヘッドを無くすことで0.37μm^2のセルサイズを実現した。設計試作した4-Mbit SRAMを評価した結果、最低動作電圧は50mV改善し、53%のスタンバイリーク電流削減を確認できた。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-07-25
著者
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス
-
松田 吉雄
金沢大学
-
薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス
-
石井 雄一郎
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス
-
藤原 英弘
ルネサスエレクトロニクス
-
松村 哲哉
日本大学
-
薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
-
石井 雄一郎
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
関連論文
- 微細化CMOSスタティックRAMの低消費電力化・高信頼化設計に関する研究(研究会推薦博士論文速報)
- ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- C-12-40 3値CAMセルのプルダウントランジスタの構成に関する検討(C-12.集積回路D(メモリ),一般講演)
- C-12-30 実時間動領域抽出向けアフィン動きモデル推定VLSIプロセッサ(C-12.集積回路,一般セッション)
- 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現 : 非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- C-12-2 分散の係数からみたSRAMの書込みマージンの定義に関する検討(メモリ技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- Dynamic Voltage & Frequency scaling : ディープサブ100-nmを救えるか!(電源制御,パワーゲーティング,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- C-12-23 アフィン動きモデル推定プロセッサ用逆行列計算回路(C-12. 集積回路ABC(ロジック・センサ),一般セッション)
- C-12-14 ビットプレーン並列方式によるJPEG2000 EBCOT回路の開発(C-12.集積回路B(ディジタル),一般講演)
- C-12-13 JPEG 2000離散ウェーブレット変換回路の高性能化および小面積化(C-12.集積回路B(ディジタル),一般講演)
- D-12-44 Haar-like特徴とアフィン動きモデル推定を用いた顔器官検出・追跡(D-12.パターン認識・メディア理解,一般セッション)
- 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nm DP-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nm DP-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 招待講演 8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路 (集積回路)
- 動的基板制御による非対称SRAM
- 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM
- 動的基板制御による非対称SRAM
- 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM
- C-12-2 オンチップ電源ノイズ離散化手法とRF直接電力注入によるSRAMのイミュニティ評価への応用(C-12.集積回路,一般セッション)
- オンチップ診断機構とDPIを用いたSRAMコアのイミュニティ評価(高速デジタルLSI回路技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
- オンチップ診断機構とDPIを用いたSRAMコアのイミュニティ評価(高速デジタルLSI回路技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
- 伝達関数の計算によるADPLLの低位相雑音設計
- オンチップ診断機構とDPIを用いたSRAMコアのイミュニティ評価
- オンチップ診断機構とDPIを用いたSRAMコアのイミュニティ評価
- 8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- SRAMとオンチップメモリBISTを用いたチップ固有ID生成回路(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- SRAMのランダムアドレスエラーを用いたPUFの安定化向上手法
- C-12-30 不一致検出回路を用いた通信用検索エンジンの低消費電力化手法(LSIアーキテクチャ,C-12.集積回路,一般セッション)
- 8.5 複製防止デバイスPUF : メモリPUF(第8章:セキュリティ,ディペンダブルVLSIシステム)
- 4.5 細粒度アシストバイアス制御SRAM(第4章:素子特性ばらつき,ディペンダブルVLSIシステム)
- 0.3Vマッチ線センスアンプを用いた65nm CMOS 250MHz動作18Mb TCAM(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 : 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える?(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- C-12-9 SRAMのAC電源変動に対する不良応答と素子ばらつきの影響(C-12.集積回路)
- デジタル電流比較器制御によるSRAM待機電力の削減(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- LTE対応コミュニケーションプロセッサR-Mobile U2における電力制御技術 : "Power saver"によるクロック制御手法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- LTE対応コミュニケーションプロセッサR-Mobile U2における電力制御技術 : "Power saver"によるクロック制御手法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 28nm HKMGテクノロジにおけるEM耐性を強化した1.8V I/O NMOS電源スイッチによる123μWスタンバイ電力技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 28nm HKMGテクノロジにおけるEM耐性を強化した1.8V I/O NMOS電源スイッチによる123μWスタンバイ電力技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 動作環境の動的変動を考慮した動作マージン拡大機能を有する自律制御キャッシュ(ポスターセッション,学生・若手研究会)
- 8T DP-SRAM の Write-/Read-Disturb 問題とその対策回路
- SRAMとオンチップメモリ BIST を用いたチップ固有ID生成回路