松村 哲哉 | 日本大学
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概要
関連著者
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス
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松田 吉雄
金沢大学
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス
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石井 雄一郎
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス
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藤原 英弘
ルネサスエレクトロニクス
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松村 哲哉
日本大学
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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石井 雄一郎
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
著作論文
- 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)