塚本 康正 | ルネサスエレクトロニクス
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概要
関連著者
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス
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藤原 英弘
ルネサスエレクトロニクス
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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藪内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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薮内 誠
株式会社ルネサステクノロジ
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス
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藪内 誠
ルネサスエレクトロニクス
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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前川 考志
ルネサスエレクトロニクス
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五十嵐 元繁
ルネサスエレクトロニクス
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石井 雄一郎
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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田中 浩司
ルネサスエレクトロニクス
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田中 信二
ルネサスエレクトロニクス
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石井 雄一郎
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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藤原 英弘
神戸大学大学院工学研究科
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田中 信二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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島崎 靖久
ルネサスエレクトロニクス
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藤原 英弘
ルネサスエレクトロニクス(株)技術開発本部設計基盤開発統括部基盤メモリIP開発部
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塚本 康正
株式会社ルネサステクノロジ
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五十嵐 元繁
株式会社ルネサステクノロジ
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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松田 吉雄
金沢大学
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柳沢 一正
ルネサスエレクトロニクス
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松村 哲哉
日本大学
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森 和孝
ルネサスエレクトロニクス
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梅本 由紀子
ルネサスエレクトロニクス
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石川 次郎
ルネサスエレクトロニクス
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新居 浩二
株式会社ルネサステクノロジ
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岩松 俊明
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
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柳沢 一正
(株)ルネサステクノロジ
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中瀬 泰伸
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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篠原 尋史
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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平野 有一
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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岩松 俊明
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
木原 雄治
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
中瀬 泰伸
ルネサスエレクトロニクス
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新井 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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島崎 靖久
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
田中 浩司
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
藤原 英弘
ルネサスエレクトロニクス株式会社
-
森本 薫夫
ルネサスエレクトロニクス
-
前田 徳章
ルネサスエレクトロニクス
-
小松 成亘
ルネサスエレクトロニクス
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田中 浩二
ルネサスエレクトロニクス
-
新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
著作論文
- 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現 : 非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 動的基板制御による非対称SRAM
- 動的基板制御による非対称SRAM
- 8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- デジタル電流比較器制御によるSRAM待機電力の削減(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 低コスト・マルチVt非対称Halo MOSによるVmin改善とスタンバイリーク低減を実現した45nm 6T-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 8T DP-SRAM の Write-/Read-Disturb 問題とその対策回路