田中 浩司 | ルネサスエレクトロニクス
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概要
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ルネサスエレクトロニクス
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス
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田中 浩司
ルネサスエレクトロニクス
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田中 信二
ルネサスエレクトロニクス
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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田中 信二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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薮内 誠
ルネサスエレクトロニクス
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石井 雄一郎
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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藤原 英弘
ルネサスエレクトロニクス
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柳沢 一正
ルネサスエレクトロニクス
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藪内 誠
ルネサスエレクトロニクス
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ルネサスエレクトロニクス
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森 和孝
ルネサスエレクトロニクス
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梅本 由紀子
ルネサスエレクトロニクス
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石川 次郎
ルネサスエレクトロニクス
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石井 雄一郎
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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柳沢 一正
(株)ルネサステクノロジ
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薮内 誠
株式会社ルネサステクノロジ
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藪内 誠
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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藤原 英弘
神戸大学大学院工学研究科
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島崎 靖久
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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田中 浩司
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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藤原 英弘
ルネサスエレクトロニクス株式会社
著作論文
- 8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 8T DP-SRAM の Write-/Read-Disturb 問題とその対策回路