田中 信二 | ルネサスエレクトロニクス株式会社
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概要
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ルネサスエレクトロニクス
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塚本 康正
ルネサスエレクトロニクス
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ルネサスエレクトロニクス株式会社
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ルネサスエレクトロニクス
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ルネサスエレクトロニクス
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ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
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ルネサスエレクトロニクス
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ルネサスエレクトロニクス
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ルネサスエレクトロニクス
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ルネサスエレクトロニクス
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ルネサステクノロジー
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(株)ルネサステクノロジ
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ルネサスエレクトロニクス株式会社
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ルネサステクノロジ
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神戸大学大学院工学研究科
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ルネサスエレクトロニクス株式会社
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藪内 誠
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島崎 靖久
ルネサスエレクトロニクス
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石井 雄一郎
ルネサスエレクトロニクス:金沢大学
著作論文
- 8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)