新居 浩二 | ルネサステクノロジ

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概要

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• ルネサステクノロジの論文著者

関連著者

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジ

• 新居 浩二

  ルネサステクノロジー

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 塚本 康正

  株式会社ルネサステクノロジ

• 塚本 康正

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 新居 浩二

  株式会社ルネサステクノロジ

• 薮内 誠

  株式会社ルネサステクノロジ

• 牧野 博之

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 牧野 博之

  ルネサステクノロジ

• 今岡 進

  株式会社ルネサスデザイン

• 薮内 誠

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 新居 浩二

  ルネサスエレクトロニクス

• 大林 茂樹

  株式会社ルネサステクノロジ

• 篠原 尋史

  株式会社ルネサステクノロジ

• 篠原 尋史

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 藤原 英弘

  神戸大学大学院工学研究科

• 山上 由展

  松下電器産業

• 五十嵐 元繁

  株式会社ルネサステクノロジ

• 山上 由展

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 塚本 康正

  ルネサステクノロジ

• 石橋 孝一郎

  (株)ルネサステクノロジ

• 石橋 孝一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 石橋 孝一郎

  ルネサスエレクトロニクス

• 新井 浩二

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 藤原 英弘

  ルネサスエレクトロニクス(株)技術開発本部設計基盤開発統括部基盤メモリIP開発部

• 新居 浩二

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 塚本 康正

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 今岡 進

  ルネサスデザイン

• 吉澤 知晃

  ルネサステクノロジ

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部

• 犬石 昌秀

  株式会社ルネサステクノロジ

• 鈴木 利一

  松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター

• 柴山 晃徳

  松下電器産業(株)半導体社開発本部半導体先行開発センター

• 鈴木 利一

  松下電器産業

• 柴山 晃徳

  松下電器産業株式会社

• 石倉 聡

  松下電器産業

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi技術開発センター

• 山口 泰男

  株式会社ルネサステクノロジ

• 山口 泰男

  三菱電機(株)ulsi開発研究所

• 寺野 登志夫

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 赤松 寛範

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 薮内 誠

  ルネサステクノロジ

• 大林 茂樹

  ルネサステクノロジ

• 篠原 尋史

  ルネサステクノロジ

• 今岡 進

  (株)ルネサスデザイン

• 岩出 秀平

  大阪工業大学情報科学部コンピュータ科学科

• 赤松 寛範

  松下電器産業(株)半導体先行開発センター

• 赤松 寛範

  松下電器産業

• 里見 勝治

  松下電器産業

• 藪内 誠

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 寺野 登志夫

  松下電器産業

• 寺野登 志夫

  松下電器産業

• 永田 真

  神戸大学大学院工学研究科情報知能学専攻

• 榎本 忠儀

  中央大学理工学部

• 平野 有一

  三菱電機(株)

• 一法師 隆志

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 永田 真

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 平野 有一

  (株)ルネサステクノロジ

• 前川 繁登

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 川島 光

  株式会社ルネサステクノロジ

• 里見 勝治

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 薮内 誠

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 大林 茂樹

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 篠原 尋史

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 澤田 卓也

  神戸大学大学院工学研究科

• 石橋 孝一郎

  ルネサステクノロジ

• 竹内 雅彦

  株式会社ルネサステクノロジ

• 牧野 博之

  株式会社ルネサステクノロジ

• 塚本 和宏

  株式会社ルネサステクノロジ

• 石橋 孝一郎

  株式会社ルネサステクノロジ

• 増田 康浩

  ルネサスデザイン

• 五十嵐 元繁

  ルネサステクノロジ

• 冨田 和朗

  ルネサステクノロジ

• 坪井 信生

  ルネサステクノロジ

• 平野 有一

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 榎本 忠儀

  中央大学理工学研究所

• 永田 真

  神戸大 大学院システム情報学研究科

• 永田 真

  神戸大学大学院工学研究科

• 利川 托

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 澤田 卓也

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 永田 真

  神戸大学大学院システム情報学研究科:戦略的創造研究推進事業(jst Crest)

• 吉川 薫平

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 高柳 万里子

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 榎本 忠儀

  中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻

• 井上 靖朗

  三菱電機(株)

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 井上 靖朗

  (株)ルネサステクノロジ

• 大路 譲

  株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部

• 大芦 敏行

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 高柳 万里子

  東芝セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 車田 総希

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 粉谷 直樹

  松下電器産業(株)半導体社システムLSI事業本部

• 由上 二郎

  (株)日立製作所 中央研究所

• 大路 譲

  株式会社日立製作所半導体事業部

• 由上 二郎

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 佐藤 成生

  富士通研究所

• 吉澤 知晃

  (株)ルネサステクノロジ

• 岩出 秀平

  大阪工業大学情報科学部

• 岩出 秀平

  大阪工業大学

• 濱田 基嗣

  東芝セミコンダクター社

• 平野 有一

  株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 一法師 隆志

  株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 前川 繁登

  株式会社ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 西山 彰

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 長谷 卓

  日本電気システムデバイス研究所

• 由上 二郎

  ルネサステクノロジ生産本部

• 西山 彰

  東芝研究開発センター

• 佐藤 成生

  富士通研究所先端cmos開発部

• 木原 雄治

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 由上 二郎

  ルネサス テクノロジ

• 榎本 忠儀

  中央大学理工学部 情報工学科

• 西山 彰

  東芝 研究開発センター

• 濱田 基嗣

  東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 高田 英裕

  三菱電機

• 大路 譲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 粉谷 直樹

  松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター

• 車田 総希

  松下電器産業(株)半導体社システムlsi事業本部基盤技術開発センター

• 高柳 万里子

  東芝セミコンダクター社

• 榎本 忠儀

  中央大学 大学院 理工学研究科 情報工学専攻

• 小山 健

  徳島文理大学大学院工学研究科

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所

• 西村 正

  三菱電機 (株) Ulsi技術開発センター

• 西村 正

  三菱電機株式会社ulsi技術開発センター

• 川澄 篤

  株式会社東芝

• 川澄 篤

  東芝セミコンダクター社

• 川口 博

  神戸大学大学院工学研究科

• 奥村 俊介

  神戸大学

• 藤原 英弘

  神戸大学大学院自然科学研究科

• 野口 紘希

  神戸大学大学院自然科学研究科

• 吉本 雅彦

  神戸大学大学院自然科学研究科

• 崎山 史朗

  松下電器産業(株) 戦略半導体開発センタ

• 奥村 俊介

  神戸大学大学院工学研究科

• 上田 公大

  三菱電機(株) システムLSI研究所

• 水野 弘之

  (株)日立製作所中央研究所

• 前川 繁登

  三菱電機(株)LSI研究所

• 前田 茂伸

  三菱電機(株)

• 新居 浩二

  三菱電機(株)

• 岩松 俊明

  三菱電機(株)

• 山口 泰男

  三菱電機(株)

• 一法師 隆志

  三菱電機(株)

• 西村 正

  三菱電機(株)

• 金 逸中

  三菱電機(株)

• 宮本 昭一

  三菱電機(株)

• 新井 浩二

  三菱電機(株)

• 益子 耕一郎

  三菱電機(株)

• 西村 正

  三菱電機ULSI開発研究所

• 石川 清志

  三菱電機(株)ULSI開発研究所

• 益子 耕一郎

  三菱電機株式会社システムlsi事業化推進センター

• 前田 茂伸

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 牧野 博之

  三菱電機株式会社 システムLSI開発研究所

• 宮本 昭一

  三菱電機(株) Ulsi開発研究所

• 上田 公大

  三菱電機株式会社

• 岩松 俊明

  (株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部

• 吉本 秀輔

  神戸大学工学部

• 井口 友輔

  神戸大学大学院工学研究科

• 国清 辰也

  三菱電機(株)ULSI技術開発センター

• 石川 清志

  株式会社ルネサステクノロジ

• 小田 祐士

  (株)シキノハイテック

• 石橋 孝一郎

  (株)ルネサステクノロジ 製品技術本部設計基盤技術開発部

• 古澤 知晃

  (株)ルネサステクノロジ製品技術本部設計技術統括部

• 半澤 悟

  株式会社日立製作所 中央研究所

• 岩出 秀平

  三菱電機(株)システムlsi開発研究所

• 入江 直彦

  (株)日立製作所 中央研究所

• 野村 昌弘

  STARC

• 清水 徹

  三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター

• 入江 直彦

  (株)日立製作所中央研究所

• 野田 英行

  ルネサスエレクトロニクス株式会社技術開発本部システムコア開発統括部

• 岩松 俊明

  ルネサスエレクトロニクス株式会社

• 岡野 広

  株式会社富士通研究所システムlsi開発研究所

• 高田 英裕

  株式会社ルネサステクノロジ

• 中井 將勝

  ソニー株式会社半導体事業本部

• 野村 昌弘

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 西村 正

  三菱電機 Ulsi開セ

• 吉本 雅彦

  神戸大学システム情報学研究科|独立行政法人科学技術振興機構 Crest

• 野口 紘希

  神戸大学大学院工学研究科

• 奥村 俊介

  神戸大学システム情報学研究科

• 吉本 秀輔

  神戸大学システム情報学研究科

• 塚本 康正

  三菱電機(株)システムLSI事業化推進センター

• 牧野 博之

  三菱電機(株)システムLSI事業化推進センター

• 岩出 秀平

  三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター

• 荒川 隆彦

  (株)ルネサス テクノロジ

• 早川 康

  三菱電機株式会社システムlsi事業統括部

• 川口 博子

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 野口 紘希

  神戸大学大学院システム情報学研究科

• 石川 清志

  ルネサステクノロジ

• 吉本 雅彦

  神戸大学大学院システム情報学研究科:独立行政法人科学技術振興機構 Crest

• 国清 辰也

  株式会社ルネサステクノロジ生産本部

• 荒川 隆彦

  徳島文理大学工学研究科

• 辻橋 良樹

  三菱電機株式会社システムLSI事業統括部

• 新居 浩二

  三菱電機株式会社システムLSI事業統括部

• 森島 哉圭

  三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センター

• 崎山 史朗

  パナソニック株式会社

• 野村 昌弘

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 西村 正

  三菱電機株式会社 Lsi 研究所

• 野村 昌弘

  半導体理工学研究センター(starc)

• 吉本 雅彦

  神戸大学システム情報学研究科:独立行政法人科学技術振興機構 Crest

• 遠藤 哲郎

  東北大学

• 前田 茂伸

  Ulsi開発センター

• 三輪 達

  サンディスク株式会社

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著作論文

• ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
• カラム線制御回路を用いた0.56V動作128-kb 10T小面積SRAM(メモリ技術)
• 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路
• 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
• 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法(新メモリ技術とシステムLSI)
• 高集積・低電力を実現した90nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI一般 : ISSCC2004特集)
• 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
• 高速・低消費電力化に適したサブ100nm世代における各種SRAMセルのレイアウト比較
• タイミング自己調整回路を用いた低消費電力デュアルポートSRAMの開発
• 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM
• ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 65nm SoC向け混載SRAMでの動作マージン改善回路(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• ゲートリークの救世主、それはHigh-k!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 90nmテクノロジにおける携帯機器向け低消費電力LSIに搭載するSRAMのゲートリーク低減方法(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• Dynamic Voltage & Frequency Scaling : ディープサブ100-nmを救えるか!(電源制御,パワーゲーティング, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
• 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100mm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 基板バイアス自動制御MT-CMOS回路技術を用いたLSIの低消費電力化
• 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM (集積回路)
• 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM (シリコン材料・デバイス)
• 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nm DP-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 動的基板制御による非対称SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 8T DP-SRAMセルのライトディスターブ特性を改善するビット線イコライズ回路を備えた28nm DP-SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 細粒度アシストバイアス制御によるR/W動作マージン改善を図ったディペンダブルな低電圧SRAM(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 招待講演 8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路 (集積回路)
• C-12-2 オンチップ電源ノイズ離散化手法とRF直接電力注入によるSRAMのイミュニティ評価への応用(C-12.集積回路,一般セッション)
• オンチップ診断機構とDPIを用いたSRAMコアのイミュニティ評価(高速デジタルLSI回路技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
• オンチップ診断機構とDPIを用いたSRAMコアのイミュニティ評価(高速デジタルLSI回路技術,デザインガイア2011-VLSI設計の新しい大地-)
• 8T DP-SRAMのWrite-/Read-Disturb問題とその対策回路(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• SRAMとオンチップメモリBISTを用いたチップ固有ID生成回路(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• SRAMのランダムアドレスエラーを用いたPUFの安定化向上手法
• 0.3Vマッチ線センスアンプを用いた65nm CMOS 250MHz動作18Mb TCAM(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 : 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える?(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• デジタル電流比較器制御によるSRAM待機電力の削減(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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