野村 昌弘 | 日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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概要
関連著者
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野村 昌弘
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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野村 昌弘
STARC
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野村 昌弘
半導体理工学研究センター(starc)
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野村 昌弘
Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所
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中澤 陽悦
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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中沢 陽悦
Nec Corporation
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野村 昌弘
Nec
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高宮 真
東京大学
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桜井 貴康
東京大学
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高宮 真
東京大学生産技術研究所
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桜井 貴康
東大
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萩原 靖彦
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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桜井 貴康
東京大学生産技術研究所
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武田 晃一
NECシステムデバイス研究所
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武田 晃一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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武田 晃一
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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桜井 貴康
東京大学工学系研究科生産技術研究所
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広田 義則
Nec R&dサポートセンター
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廣田 義則
Nec R&dサポートセンター
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山品 正勝
Necラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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山品 正勝
Necシリコンシステム研究所 システムulsi研究部
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野村 昌弘
日本電気株式会社
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中澤 陽悦
日本電気株式会社
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山品 正勝
NEC
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篠原 尋史
株式会社ルネサステクノロジ
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安福 正
東京大学
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更田 裕司
東京大学
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篠原 尋史
半導体理工学研究センター(STARC)
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篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター
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篠原 尋史
半導体理工学研究センター
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伊藤 浩
日本電気株式会社
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水野 正之
NECデバイスプラットフォーム研究所
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古田 浩一朗
NEC
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本村 真人
NECシリコンシステム研究所
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安生 健一朗
NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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若林 一敏
日本電気株式会社
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本村 真人
Nec シリコンシステム研究所
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藤井 太郎
NECシリコンシステム研究所
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本村 真人
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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相本 代志治
Necエレクトロニクス株式会社
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平入 孝二
STARC
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鈴木 一正
Nec
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池永 佳史
NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所
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萩原 靖彦
日本電気株式会社
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山品 正勝
Nec シリコンシステム研究所
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鈴木 一正
NECシリコンシステム研究所
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中澤 陽悦
NEC
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池永 佳史
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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飯間 丈史
NEC
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林 喜宏
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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広田 義則
NEC
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井上 智夫
Nec
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山品 正勝
日本電気株式会社
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水野 正之
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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水野 正之
日本電気株式会社
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古田 浩一朗
日本電気株式会社
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藤井 太郎
日本電気株式会社
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本村 真人
日本電気株式会社
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安生 健一朗
日本電気株式会社
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広田 義則
日本電気株式会社
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若林 一敏
日本電気株式会社 C&c メディア研究所
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野村 昌弘
NECシステムデバイス研究所
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萩原 靖彦
NECシステムデバイス研究所
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福田 照美
日本電気アイシーマイコンシステム
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小畑 弘之
NECエレクトロニクス
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大東 正行
NEC
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撫原 恒平
Nec
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安福 正
東京大学生産技術研究所
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平入 孝二
半導体理工学研究センター(STARC)
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更田 裕司
東京大学生産技術研究所
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野村 昌弘
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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武田 晃一
NEC
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石田 光一
東京大学
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榎本 忠儀
中央大学理工学部
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萩原 靖彦
NEC
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水野 正之
NEC Corporation
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崎山 史朗
松下電器産業(株) 戦略半導体開発センタ
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西 直樹
NECシステムデバイス研究所
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本村 真人
NEC
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安生 健一朗
NEC Corporation
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藤井 太郎
NEC
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若林 一敏
NEC
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伊藤 浩
NEC
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水野 弘之
(株)日立製作所中央研究所
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中澤 陽悦
Nec R&dサポートセンター
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若林 一敏
Nec C&cメディア研究所
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安生 健一朗
Necエレクトロニクス株式会社
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撫原 恒平
NEC C&C メディア研究所
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新居 浩二
ルネサステクノロジー
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大澤 拓
NECシステムIPコア研究所
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大澤 拓
Necシステムデバイス研究所
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池内 克之
東京大学
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廣田 義則
NEC R&Dサポートセンター
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池田 秀寿
NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所
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入江 直彦
(株)日立製作所 中央研究所
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飯田 智士
東京大学
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入江 直彦
(株)日立製作所中央研究所
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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岡野 広
株式会社富士通研究所システムlsi開発研究所
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林 喜宏
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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榎本 忠儀
中央大学理工学研究所
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中井 將勝
ソニー株式会社半導体事業本部
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武田 晃一
日本電気株式会社
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崎山 史朗
パナソニック株式会社
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新井 浩二
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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池田 秀寿
中央大学
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野村 昌弘
Necエレクトロニクス Lsi基礎開研
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斉藤 寿男
ルネサスエレクトロニクス
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本田 健太郎
東京大学生産技術研究所
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池内 克之
東京大学生産技術研究所
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桜井 貴康
東京大学 生産技術研究所
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西 直樹
NECシステムIPコア研究所
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黒田 一朗
NECエレクトロニクス株式会社 基盤技術開発本部 技術企画室
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伊藤 信哉
NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部
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宮崎 孝
Necメディア情報研究所
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井倉 裕之
日本電気株式会社
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井倉 裕之
NEC
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黒田 一朗
Necメディア情報研究所
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黒田 一朗
Nec
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黒田 一朗
Nec C&c メディア研究所
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宮崎 孝
NEC C&Cメディア研究所
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吉田 宗一郎
Necエレクトロニクス
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泉川 正則
NEC
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杉山 幸範
NEC
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神津 信一
NEC
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佐藤 一暁
NEC
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新井 智久
Nec
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新井 智久
日本電気株式会社システムlsi事業本部
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武田 晃一
NECエレクトロニクス(株)LSI基礎開発研究所
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篠原 尋史
(株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部
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高田 英裕
STARC
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水野 弘之
日立製作所中央研究所
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佐藤 庄一郎
日本電気アイシーマイコンシステム
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新居 浩二
ルネサステクノロジ
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岡野 広
富士通研
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中井 將勝
ソニー
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野村 昌弘
NECデバイスプラットフォーム研究所
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池田 秀寿
NECシステムデバイス研究所
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石井 利生
NECエレクトロニクス
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内田 良一
NEC
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斉藤 寿男
NEC
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鈴木 一正
NEC シリコンシステム研究所システム ULSI 研究部
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大東 正行
マイクロコンピュータ事業部
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井上 智夫
マイクロコンピュータ事業部
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野村 昌弘
NEC シリコンシステム研究所システム ULSI 研究部
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飯間 丈史
カラーPDP事業部
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撫原 垣平
NEC
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村松 篤
京都大学情報学研究科通信情報システム
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新居 浩二
ルネサスエレクトロニクス
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片岡 直之
東京大学
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黄 〓靖
東京大学
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村松 篤
半導体理工学研究センター(STARC)
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本田 健太郎
東京大学
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水野 弘之
日立製作所 中央研究所
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竹内 潔
ルネサスエレクトロニクス(株)先行研究統括部
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野村 昌弘
ルネサスエレクトロニクス
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武田 晃一
ルネサスエレクトロニクス
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朝山 忍
ルネサスエレクトロニクス
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相本 代志治
ルネサスエレクトロニクス
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小畑 弘之
ルネサスエレクトロニクス
-
伊藤 信哉
ルネサスエレクトロニクス
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高橋 寿史
ルネサスエレクトロニクス
-
林 喜宏
ルネサスエレクトロニクス
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飯田 智
東京大学
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新居 浩二
ルネサス テクノロジ 製品技術本部
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高橋 寿史
ルネサスエレクトロニクス生産本部
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水野 弘之
(株)日立製作所
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新居 浩二
ルネサス エレクトロニクス株式会社
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桜井 貴康
東京大学:JST, ERATO
著作論文
- 柔軟かつ高速な再構成を実現した動的再構成ロジックLSI
- C-12-34 動的再構成ロジックLSIの開発(2)
- C-12-33 動的再構成ロジックLSIの開発(1)
- 高性能マイクロプロセッサを実現するクロック分配技術
- ダイナミック協働型ドライブ技術を用いた双方向バスリピータの自動方向制御方式(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- C-12-62 各種CMOSゲート・チェーンの最低可動電圧(V_)のモンテカルロ法によるシミュレーション(C-12.集積回路,一般セッション)
- ダイナミック協働型ドライブ技術を用いた双方向バスリピータの自動方向制御方式(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- DVFSのための電圧ステップ幅制御およびリファレンス電圧制御を用いた高速電源電圧制御方式(学生・若手研究会)
- C-12-13 先端CMOSプロセス向けSRAM開発におけるSRAMセル諸特性の効率的ばらつき評価手法(C-12.集積回路,一般セッション)
- 柔軟かつ高速な再構成を実現した動的再構成ロジックLSI
- 柔軟かつ高速な再構成を実現した動的再構成ロジックLSI
- Dynamic Voltage & Frequency scaling : ディープサブ100-nmを救えるか!(電源制御,パワーゲーティング,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 消費エネルギー最小化のための最適電源電圧決定回路(電源制御,パワーゲーティング,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- Dynamic Voltage & Frequency Scaling : ディープサブ100-nmを救えるか!(電源制御,パワーゲーティング, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 消費エネルギー最小化のための最適電源電圧決定回路(電源制御,パワーゲーティング, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 次世代SRAMのために再定義した書き込みマージン(新メモリ技術とシステムLSI)
- 動作時および待機時における電源電圧およびしきい電圧の制御による消費電力最小化のためのモニタリング方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 動作時および待機時における電源電圧およびしきい電圧の制御による消費電力最小化のためのモニタリング方式(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 低電圧時の安定高速動作を実現するノイズマージンフリーSRAM技術(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集1 SRAM)
- サブ100nm世代におけるGHz動作SRAMマクロのためのセンス方式(新メモリ,メモリ応用技術,一般)
- C-12-38 マルチメディアRISCプロセッサに搭載したRambus DRAMコントローラの命令プリフェッチ機能と性能評価
- SIMD演算器へのノルム計算命令組み込み手法の検討
- Rambus DRAMを主記憶に採用したマルチメディア指向RISCプロセッサ
- マルチメディアプロセッサのRambus DRAMコントローラ
- C-12-33 最低可動電圧(V_)の低いフリップフロップ回路トポロジーの探索(C-12.集積回路,一般セッション)
- 高密度SRAMの微細化を可能とする階層セルアーキテクチャと多段階ワード線制御方式(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- C-12-17 CMOS論理ゲートの最低可動電圧(V_)の決定要因の分析(デジタル集積回路,C-12.集積回路,一般セッション)
- 低電圧動作可能なコンテンションレス・フリップフロップと2種の電源電圧による整数演算回路のエネルギー効率向上の実証(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 低電圧動作可能なコンテンションレス・フリップフロップと2種の電源電圧による整数演算回路のエネルギー効率向上の実証(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 自動選択電荷注入を用いたCMOSロジック回路の最低可動電圧(V_)の低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 自動選択電荷注入を用いたCMOSロジック回路の最低可動電圧(V_)の低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- エナジーハーベストを用いた無線センサノードに適用可能な0.5V極低電力回路技術(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 低電圧・極低電力CMOSロジック回路における回路特性のデバイスパラメータ依存性の評価(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))