武田 晃一 | NEC

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概要

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関連著者

• 武田 晃一

  NEC

• 武田 晃一

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 武田 晃一

  NECシステムデバイス研究所

• 武田 晃一

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 相本 代志治

  Necエレクトロニクス株式会社

• 相本 代志治

  NEC

• 豊島 秀雄

  NEC

• 中村 典嗣

  NEC

• 野田 研二

  NEC

• 中澤 陽悦

  NEC

• 中澤 陽悦

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 岩崎 隆弘

  Nec情報システムズ

• 中村 和之

  NECシリコンシステム研究所

• 中村 和之

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 木村 亨

  Nec

• 木村 亨

  Nec マイクロエレクトロニクス研究所システムulsi研究部

• 中村 和之

  NEC Corporation

• 益岡 宗明

  Nec

• 岩崎 隆弘

  NEC情報システズ

• 益岡 完明

  NEC

• 東郷 光洋

  NECシリコンシステム研究所

• 浜田 昌幸

  NEC

• 浜田 昌幸

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 東郷 光洋

  Nec

• 谷川 高穂

  NEC

• 信澤 肇

  NEC

• 野村 昌弘

  Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所

• 伊藤 信哉

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 堀内 忠彦

  NECエレクトロニクス(株)先端プロセス事業部

• 松井 孝二郎

  NEC

• 中川 敦

  NEC

• 下川 健寿

  NEC

• 高橋 弘行

  NEC

• 萩原 靖彦

  NEC

• 萩原 靖彦

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 堀内 忠彦

  NEC Corporation

• 中沢 陽悦

  Nec Corporation

• 岩崎 隆弘

  NEC 情報システムズ

• 清水 俊行

  Nec

• 岸本 光司

  Nec

• 大窪 宏明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 内田 哲弥

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 井谷 俊郎

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 渡嘉敷 健

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 渡嘉敷 健

  Nec

• 渡嘉敷 健

  Nec Ulsiデバイス開発研究所微細加工技術開発部

• 井谷 俊郎

  Selete

• 井谷 俊郎

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 野村 昌弘

  STARC

• 大窪 宏明

  Nec

• 小畑 弘之

  NECエレクトロニクス

• 石井 利生

  NECエレクトロニクス

• 井谷 俊郎

  Nec

• 室谷 樹徳

  Nec

• 竹島 俊夫

  NEC

• 竹島 俊夫

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 石川 勝之

  NEC

• 野村 昌弘

  Nec

• 内田 哲弥

  Nec

• 野村 昌弘

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 野村 昌弘

  半導体理工学研究センター(starc)

• 岡村 均

  Nec

• 広田 義則

  NEC

• 山崎 亨

  NEC

• 広田 義則

  Nec R&dサポートセンター

• 山崎 亨

  Nec 先端デバイス開発本部

• 吉田 宏

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 吉田 宗一郎

  Necエレクトロニクス

• 鈴木 久満

  NECULSIデバイス開発研究所

• 鈴木 久満

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 吉田 宏

  Nec 先端デバイス開発本部

• 鈴木 久満

  Nec 先端デバイス開発本部

• 高田 正日出

  NECマイクロエレクトロニクス研究所システムULSI研究部

• 高田 正日出

  Nec

• 廣田 義則

  Nec R&dサポートセンター

• 内田 良一

  NEC

• 斉藤 寿男

  NEC

• 久原 茂

  NEC

• 斉藤 寿男

  ルネサスエレクトロニクス

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著作論文

• 16Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発
• 無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発(2) : ビット線間カップリング容量の削減
• 無負荷型4トランジスタSRAMマクロの開発(1) : セル動作及びデータ安定保持回路
• 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (II) : I/O部の設計と評価結果
• 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (I) : チップアーキテクチャと内部SRAM部の設計
• 低電圧時の安定高速動作を実現するノイズマージンフリーSRAM技術(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集1 SRAM)
• 低電圧時の安定高速動作を実現するノイズマージンフリーSRAM技術
• サブ100nm世代におけるGHz動作SRAMマクロのためのセンス方式(新メモリ,メモリ応用技術,一般)
• 64Mb高速DRAMマクロの開発
• C-12-75 高速64Mb DRAMマクロの開発(3) : アレイ部の高速化技術
• C-12-74 高速64Mb DRAMマクロの開発(2) : 制御回路部の高速化
• C-12-73 高速64MbDRAMマクロの開発(1) : チップ構成及び性能ついて
• 4Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロのBIST方式(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
• 4Mb無負荷型4トランジスタSRAMマクロのBIST方式(:「LSIシステムの実装・モジュール化, テスト技術, 一般)
• プロセスの微細化に伴うデバイスばらつきの回路動作への影響
• 6ns 1.5V 4Mb BiCMOS SRAMの低電圧回路技術

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