井谷 俊郎 | NEC ULSIデバイス開発研究所

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概要

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関連著者

• 井谷 俊郎

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 井谷 俊郎

  Selete

• 井谷 俊郎

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 井谷 俊郎

  Nec

• 清水 俊行

  Nec

• 中村 和之

  NECシリコンシステム研究所

• 豊島 秀雄

  NEC

• 野田 研二

  NEC

• 岸本 光司

  Nec

• 中村 和之

  九州工業大学マイクロ化総合技術センター

• 大窪 宏明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 内田 哲弥

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 渡嘉敷 健

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 渡嘉敷 健

  Nec

• 渡嘉敷 健

  Nec Ulsiデバイス開発研究所微細加工技術開発部

• 吉野 宏

  NEC ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 橋本 修一

  NEC ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 山名 慎治

  NEC ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 佐本 典彦

  NEC ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 笠間 邦彦

  NEC ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 武田 晃一

  NECシステムデバイス研究所

• 大窪 宏明

  Nec

• 武田 晃一

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 武田 晃一

  Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所

• 内田 哲弥

  Nec

• 深石 宗生

  NECシステムIPコア研究所

• 四柳 道夫

  NECエレクトロニクス株式会社基盤技術開発本部

• 豊島 秀雄

  NECシリコンシステム研究所

• 宮本 秀信

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 武田 晃一

  NECシリコンシステム研究所

• 野田 研二

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 清水 俊行

  NEC 第2メモリ事業部

• 岸本 光司

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 木下 靖

  NEC

• 山崎 亨

  Nec 先端デバイス開発本部

• 逸見 直也

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 鈴木 久満

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 四柳 道夫

  Necエレクトロニクス(株)

• 中村 聡

  日本電気株式会社

• 中村 聡

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 鈴木 久満

  Nec 先端デバイス開発本部

• 宮本 秀信

  Nec

• 末村 剛彦

  NEC Corporation

• 田島 章雄

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 深石 宗生

  NECシリコンシステム研究所

• 武田 晃一

  NEC

• 山崎 亨

  NEC

• 鈴木 久満

  NECULSIデバイス開発研究所

• 逸見 直也

  Nec C&cメディア研

• 四柳 道夫

  Nec

• 深石 宗生

  Nec

• 中村 和之

  NEC Corporation

• 吉井 剛

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 中村 聡

  NEC Corporation

• 田島 章雄

  Nec

• 末村 剛彦

  日本電気(株)ネットワーキング研究所

• 四柳 道夫

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 木下 靖

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 橋本 修一

  日本電気ulsiデバイス開発研究所

• 田島 章雄

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 吉野 宏

  日本電気ulsiデバイス開発研究所

• 山名 慎治

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 笠間 邦彦

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 逸見 直也

  日本電気株式会社c&cメディア研究所

• 深石 宗生

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 山崎 亨

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 末村 剛彦

  NEC光エレクトロニクス研究所

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著作論文

• 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
• 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (II) : I/O部の設計と評価結果
• 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (I) : チップアーキテクチャと内部SRAM部の設計
• KrF 露光における段差上反射の検討
• 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
• 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
• SC-12-7 2.125Gb/s BiCMOS ファイバチャネル送信LSI
• 4 Gb/s光データリンク用BiCMOS PLL回路 : クロック逓倍回路、クロック抽出回路
• 29p-V-8 KrF露光における段差上反射の検討(3)
• 29p-V-4 化学増幅系レジストにおけるPEB温度最適化の検討(2)
• 29p-V-3 化学増幅系レジストのPAG構造依存性(2)
• 29p-V-2 化学増幅系ポジ型レジストの脱保護反応解析(3)
• AV-DSPDアーキテクチャを用いた4.25GHz BiCMOSクロックリカバリ回路

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