29p-V-4 化学増幅系レジストにおけるPEB温度最適化の検討(2)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 1997-03-28

著者

• 井谷 俊郎

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 吉野 宏

  NEC ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 橋本 修一

  NEC ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 山名 慎治

  NEC ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 佐本 典彦

  NEC ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 笠間 邦彦

  NEC ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 吉井 剛

  NEC ULSIデバイス開発研究所

関連論文

• 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
• 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (II) : I/O部の設計と評価結果
• 500MHzパイプラインバースト動作の4Mb CMOS SRAM (I) : チップアーキテクチャと内部SRAM部の設計
• KrF 露光における段差上反射の検討
• サブクォーターミクロン光リソグラフィーにおける焦点深度向上技術
• 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
• 500MHz動作4Mb CMOSキャッシュSRAM
• SC-12-7 2.125Gb/s BiCMOS ファイバチャネル送信LSI
• 4 Gb/s光データリンク用BiCMOS PLL回路 : クロック逓倍回路、クロック抽出回路
• 29p-V-8 KrF露光における段差上反射の検討(3)
• 29p-V-4 化学増幅系レジストにおけるPEB温度最適化の検討(2)
• 29p-V-3 化学増幅系レジストのPAG構造依存性(2)
• 29p-V-2 化学増幅系ポジ型レジストの脱保護反応解析(3)
• AV-DSPDアーキテクチャを用いた4.25GHz BiCMOSクロックリカバリ回路

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク