KrF 露光における段差上反射の検討

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概要

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KrFエキシマ露光による0. 25μmパターン形成において、単層レジストプロセスとしてダイ入りレジストが適用できる基板段差の範囲をシミュレーションにより検討した。高さ0.1μmの段差を有するポリシリコン基板に対し、ハレーションの低減とDOFの確保の両面からレジストの透過率を最適化した結果、40〜50%となった。またこの時、段差とパターンとの距離が0.3μm以上の領域で、良好にパターン形成できることがわかった。さらにハレーションを低減することを目的としてPhoto-bleachingおよびPhoto-coloringといったレジストの光学特性について検討した結果、Photo-coloring特性を有するレジストがハレーションの低減に対して有効であることがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-10-19

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