木下 靖 | NEC
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概要
関連著者
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木下 靖
NEC
-
山崎 亨
Nec 先端デバイス開発本部
-
今井 清隆
日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所
-
吉田 宏
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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中村 聡
日本電気株式会社
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吉田 宏
Nec 先端デバイス開発本部
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岡村 均
Nec
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武田 晃一
NECシステムデバイス研究所
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高田 正日出
Nec
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武田 晃一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
武田 晃一
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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木下 靖
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
鈴木 久満
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
鈴木 久満
Nec 先端デバイス開発本部
-
山崎 亨
NEC ULSIデバイス開発研究所
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豊島 秀雄
NEC
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四柳 道夫
NECエレクトロニクス株式会社基盤技術開発本部
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四柳 道夫
Necエレクトロニクス(株)
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深石 宗生
NECシステムIPコア研究所
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宮本 秀信
NEC ULSIデバイス開発研究所
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小栗 隆
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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井谷 俊郎
Selete
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井谷 俊郎
日本電気ULSIデバイス開発研究所
-
四柳 道夫
Nec
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井谷 俊郎
Nec
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宮本 秀信
Nec
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小栗 隆司
Nec マイクロエレクトロニクス研
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井谷 俊郎
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
田代 勉
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
山崎 亨
NEC
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逸見 直也
NEC光エレクトロニクス研究所
-
中村 聡
NEC ULSIデバイス開発研究所
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高田 正日出
NECマイクロエレクトロニクス研究所システムULSI研究部
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高田 正日出
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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今井 清隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
岡村 均
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
豊島 秀雄
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
武田 晃一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
中村 聡
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
今井 清隆
ULSIデバイス開発研究所
-
木下 靖
ULSIデバイス開発研究所
-
山崎 亨
ULSIデバイス開発研究所
-
藤井 宏基
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
中村 聡
NEC Corporation
-
末村 剛彦
日本電気(株)ネットワーキング研究所
-
末村 剛彦
NEC Corporation
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田島 章雄
NECシステムプラットフォーム研究所
-
深石 宗生
NECシリコンシステム研究所
-
鈴木 久満
NECULSIデバイス開発研究所
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逸見 直也
Nec C&cメディア研
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逸見 直也
日本電気株式会社c&cメディア研究所
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深石 宗生
Nec
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岡村 均
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
木下 靖
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
-
山崎 亨
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
-
小栗 隆司
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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吉田 宏
ULSIデバイス開発研究所
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山崎 亨
日本電気(株) 超lsi開発本部
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田島 章雄
Nec
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豊島 秀雄
NEC Corporation
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石田 昌己
Nec マイクロエレクトロニクス研究所
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逸見 直也
日本電気(株)
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四柳 道夫
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
石田 昌己
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
曽根 一也
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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西田 芳雄
NEC
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今井 清隆
NEC
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深石 宗生
日本電気(株)
-
四柳 道夫
日本電気(株)
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田島 章雄
NEC光エレクトロニクス研究所
-
厚母 敬生
NEC光エレクトロニクス研究所
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逸見 直也
日本電気(株)c&cメディア研究所
-
深石 宗生
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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多胡 州星
日本電気株式会社
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厚母 敬生
Nec マイクロエレクトロニクス研究所
-
マディヒアン モハマド
日本電気(株)c&c研究所
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末村 剛彦
NEC光エレクトロニクス研究所
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岡村 均
NEC システムASIC事業部
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豊島 秀雄
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
小栗 隆
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
中村 聡
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
吉田 宏
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
田島 章雄
日本電気(株)
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大澤 智喜
Nec C&c基盤開発研究所
-
大沢 智喜
日本電気(株)c & C研究所
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中村 聡
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
-
鈴木 久満
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
-
井谷 俊郎
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
-
宮本 秀信
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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岡村 均
NEC日本電気株式会社
-
武田 晃一
NEC日本電気株式会社
-
中村 聡
NEC日本電気株式会社
-
豊島 秀雄
NEC日本電気株式会社
-
高田 正日出
NEC日本電気株式会社
-
今井 清隆
NEC日本電気株式会社
-
木下 靖
NEC日本電気株式会社
-
吉田 宏
NEC日本電気株式会社
-
山崎 亨
NEC日本電気株式会社
-
多胡 州星
NEC日本電気株式会社
-
小林 正治
NEC日本電気株式会社
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マディヒアン M.
日本電気(株)C&C研究所
-
バーク E.
日本電気(株)C&C研究所
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吉田 宏
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
-
平林 浩
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
-
デクロ L.
日本電気(株)C&C研究所
-
武田 晃一
NEC Corporation
-
岡村 均
NEC Corporation
-
高田 正日出
NEC Corporation
-
今井 清隆
NEC Corporation
-
木下 靖
NEC Corporation
-
山崎 亨
NEC Corporation
-
マディヒアン モハマド
日本電機(株)C&C研究所
-
パーク エマヌエル
日本電機(株)C&C研究所
-
今井 清隆
ULSI デバイス開発研究所
-
吉田 宏
ULSI デバイス開発研究所
-
木下 靖
ULSI デバイス開発研究所
-
山崎 亨
ULSI デバイス開発研究所
-
大澤 智喜
日本電機(株)C&C研究所
-
曽根 一也
Nec
-
宮本 秀信
日本電気(株)necエレクトロンディバイス 光端デバイス開発本部 高集積技術gr
-
デクロ L.
日本電気(株) C&c研究所
-
マディヒアン M.
日本電気(株) C&c研究所
-
パーク エマヌエル
日本電機(株)c&c研究所
-
バーク E.
日本電気(株)c&c研究所
著作論文
- O.4μm BiCMOSプロセスを用いた高速、低電力比較器
- チャージポンプ付きHigh-Beta BiCMOS(Hβ-BiCMOS)論理ゲート回路
- SC-12-7 2.125Gb/s BiCMOS ファイバチャネル送信LSI
- AV-DSPDアーキテクチャを用いた4.25GHz BiCMOSクロックリカバリ回路
- 4 Gb/s光データリンク用BiCMOS PLL回路 : クロック逓倍回路、クロック抽出回路
- PMOSアクセスメモリセルを使用した超高速低電力NTL-CMOS SRAMマクロ
- 超高速低電力NTL-CMOS SRAMマクロ
- 「パズルコンセプト」 : CM0Sに比較して消費電力、集積度、コスト共に優れたLSIを提供するBiCMOS LSIのデザインコンセプト
- 低電圧BiCMOS用チャージポンプ回路
- AV-DSPDアーキテクチャを用いた4.25GHz BiCMOSクロックリカバリ回路
- リング形状の外部ベースにコバルトシリサイドを適用した0.15μm/73GHzfmaxのRF対応BiCMOS技術
- リング形状の外部ベースにコバルトシリサイドを適用した0.15μm/73GHzfmaxのRF対応BiCMOS技術
- リング形状の外部ベースにコバルトシリサイドを適用した0.15μm/73GHzfmaxのRF対応BiCMOS技術
- マルチ・モード・パーソナル通信用低電圧広帯域BiCMOSトランシバー・チップ
- 400MHz 64ビットBiCMOS ALU
- 1.8-5.4GHz帯2V動作BiCMOSダウンコンバータ及びアップコンバータ
- SRAM用ビット線振幅最適化回路(ASC回路)
- P-channelアクセストランジスタSRAMセル(II)