チャージポンプ付きHigh-Beta BiCMOS(Hβ-BiCMOS)論理ゲート回路
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概要
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BiCMOS、BiNMOSゲート回路は、その高速性能によって、ASIC、SRAM、イクロプロセッサ等に広く使用されている。しかしながら、電源電圧の低下に伴ってその動作速度のCMOSに対する優位性が薄れてくる。それを克服すべく種々の改良型回路が提案されているが、今回NPNバイポーラトランジスタのベースバイアスをクランプする回路を用い、バイポーラトランジスタの高gmを十分生かす事によって低電源電圧に対応したBiCMOSゲート回路を開発したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
岡村 均
Nec
-
木下 靖
NEC
-
木下 靖
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
山崎 亨
Nec 先端デバイス開発本部
-
厚母 敬生
NEC光エレクトロニクス研究所
-
武田 晃一
NECシステムデバイス研究所
-
今井 清隆
日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所
-
高田 正日出
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
厚母 敬生
Nec マイクロエレクトロニクス研究所
-
高田 正日出
Nec
-
岡村 均
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
武田 晃一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
今井 清隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
山崎 亨
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
武田 晃一
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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