6ns 1.5V 4Mb BiCMOS SRAMの低電圧回路技術
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概要
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ハイエンドキャッシュメモリ等に使用される超高速大規模BiCMOS SRAM回路には、スケーリングされないバイポーラトランジスタのV_<BE>(ベース-エミッタ順方向電圧,約0.8V)が存在する。そのため、現状の電源電圧3.3Vからの低電源電圧化は困難であるとされていた。本稿では、BiCMOS回路においてV_<BE>の存在により生じる問題を回避して、高速動作性を維持したまま低電圧化を実現する新規デコーダ回路、センスアンプ回路を用い、最低動作電源電圧を1.5Vとする4Mb BiCMOS SRAMを開発したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
中村 和之
NECシリコンシステム研究所
-
武田 晃一
NEC
-
豊島 秀雄
NEC
-
岡村 均
Nec
-
中村 和之
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
-
山崎 亨
NEC
-
山崎 亨
Nec 先端デバイス開発本部
-
吉田 宏
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
武田 晃一
NECシステムデバイス研究所
-
鈴木 久満
NECULSIデバイス開発研究所
-
鈴木 久満
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
中村 和之
NEC Corporation
-
吉田 宏
Nec 先端デバイス開発本部
-
鈴木 久満
Nec 先端デバイス開発本部
-
高田 正日出
NECマイクロエレクトロニクス研究所システムULSI研究部
-
高田 正日出
Nec
-
武田 晃一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
武田 晃一
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
-
久原 茂
NEC
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