BiCMOSにおける基板クロストークの評価
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概要
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CMOS, Bip.Tr の性能向上に伴って、GHz帯の高周波領域にもシリコン系トランジスタが用いられてきているが、シリコン基板は絶縁性が劣るため、基板を介したノイズの伝搬(クロストーク)が問題になる。本報告では、BiCMOS基板におけるMOS-基板間及び Bip.Tr コレクタ間の基板クロストークについて検討した結果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
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