SiGeBiCMOS技術における熱処理トレードオフおよびボロンスパイク効果低減の検討
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概要
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- 2001-03-08
著者
-
佐藤 文彦
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
山崎 亨
Nec 先端デバイス開発本部
-
吉田 宏
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
鈴木 久満
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
佐藤 文彦
Nec 先端デバイス開発本部
-
吉田 宏
Nec 先端デバイス開発本部
-
鈴木 久満
Nec 先端デバイス開発本部
-
橋本 隆介
NECエレクトロニクス(株)
-
橋本 隆介
日本電気株式会社 先端デバイス開発本部
-
佐藤 文彦
日本電気株式会社 先端デバイス開発本部
-
青山 亨
日本電気株式会社 先端デバイス開発本部
-
鈴木 久満
日本電気株式会社 先端デバイス開発本部
-
吉田 宏
日本電気株式会社 先端デバイス開発本部
-
藤井 宏基
日本電気株式会社 先端デバイス開発本部
-
山崎 亨
日本電気株式会社 先端デバイス開発本部
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