低電圧BiCMOS用チャージポンプ回路
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概要
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著者らは、低電源電圧時におけるBiCMOSゲートの論理振幅を確保するため、プルアップトランジスタのベースに昇圧した電圧を与える方法を提案した。本稿では、大規模なBiCMOS論理LSIに適用するため、昇圧効率の高いBiCMOSを用いたチャージポンプ回路を提案する。また、実際にBiCMOSゲートへ適用した場合の性能評価も行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
岡村 均
Nec
-
木下 靖
NEC
-
木下 靖
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
山崎 亨
Nec 先端デバイス開発本部
-
武田 晃一
NECシステムデバイス研究所
-
今井 清隆
日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所
-
高田 正日出
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
高田 正日出
Nec
-
岡村 均
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
武田 晃一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
今井 清隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
山崎 亨
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
武田 晃一
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
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