O.4μm BiCMOSプロセスを用いた高速、低電力比較器
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概要
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現在、超高速かつ低電力なA/D変換器を実現する方法としては全並列型あるいは直並列型A/D変換方式が主流である。これらの方式で高分解能を実現しようとする場合、比較器の高速化、低電力化が必要となる。今回、電源電圧3.3Vで高速かつ低電力な比較器を検討した。0.4μm-BiCMOSプロセスを用いて試作し、クロック周波数600MHzまでの動作を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
四柳 道夫
NECエレクトロニクス株式会社基盤技術開発本部
-
石田 昌己
Nec マイクロエレクトロニクス研究所
-
石田 昌己
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
曽根 一也
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
西田 芳雄
NEC
-
今井 清隆
NEC
-
木下 靖
NEC
-
山崎 亨
NEC
-
山崎 亨
Nec 先端デバイス開発本部
-
四柳 道夫
Necエレクトロニクス(株)
-
四柳 道夫
Nec
-
今井 清隆
日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所
-
曽根 一也
Nec
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