PMOSアクセスメモリセルを使用した超高速低電力NTL-CMOS SRAMマクロ
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概要
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ECLゲート回路とCMOSメモリセルを組み合わせたECL-CMOS SRAMは、超高速性能と高集積度の両立を可能にしたが、消費電力が大きく、低電圧化が難しいという欠点がある。本稿では、PMOSトランジスタをアクセストランジスタに用いたメモリセルを使用し、さらに、オンチップ電源電圧発生回路を持つNTLデコーダ回路、ビット線振幅自動最適化回路等を搭載したNTL-CMOS SRAMマクロについて述べる。0.4μm BiCMOSプロセスを使用し、32Kb SRAMマクロを試作、1nsのアクセス時間を電源電圧2.5V、消費電力1Wで実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-25
著者
-
豊島 秀雄
NEC
-
岡村 均
Nec
-
小栗 隆
Necマイクロエレクトロニクス研究所
-
木下 靖
NEC
-
木下 靖
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
山崎 亨
Nec 先端デバイス開発本部
-
吉田 宏
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
武田 晃一
NECシステムデバイス研究所
-
今井 清隆
日本電気(株)ulsiデバイス開発研究所
-
中村 聡
日本電気株式会社
-
吉田 宏
Nec 先端デバイス開発本部
-
高田 正日出
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
高田 正日出
Nec
-
武田 晃一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
今井 清隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
山崎 亨
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
武田 晃一
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
-
岡村 均
NEC システムASIC事業部
-
豊島 秀雄
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
小栗 隆
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
中村 聡
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
小栗 隆司
Nec マイクロエレクトロニクス研
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