低電圧時の安定高速動作を実現するノイズマージンフリーSRAM技術(新メモリ技術, メモリ応用技術, 一般, ISSCC特集1 SRAM)
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概要
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今後の微細化に伴うバラツキの増大によって、SRAMの読み出しノイズマージンと書き込みマージンとが共に減少し、通常の電源電圧での安定動作すら困難な状況になりつつある。この問題を解決するために、小さい面積オーバーヘッドで、両立しない2つのマージンの一方の読み出しノイズマージンをフリーにするSRAM技術を開発した。90nm CMOSプロセスを用いて64Kb SRAMを試作して、0.44Vまでの安定動作と、0.5Vでの20ns動作を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-04-07
著者
-
野村 昌弘
Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所
-
武田 晃一
NEC
-
萩原 靖彦
NEC
-
萩原 靖彦
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
中澤 陽悦
NEC
-
中澤 陽悦
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
-
中沢 陽悦
Nec Corporation
-
相本 代志治
Necエレクトロニクス株式会社
-
武田 晃一
NECシステムデバイス研究所
-
野村 昌弘
STARC
-
武田 晃一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
小畑 弘之
NECエレクトロニクス
-
石井 利生
NECエレクトロニクス
-
武田 晃一
Necエレクトロニクスlsi基礎開発研究所
-
野村 昌弘
Nec
-
野村 昌弘
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
-
野村 昌弘
半導体理工学研究センター(starc)
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