リング状クロック線による低スキュークロック分配回路
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概要
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LSIの微細化・大規模化・高速化につれて, クロックスキューやクロックジッタが高速なクロック信号分配における大きな障害になっている. 一方で, LSIデバイスの特性ばらつきや動作環境変動の影響の増加は低スキュークロック分配をますます困難にしている. このような背景から, 1GHz以上の高速なクロックの低スキュー分配を目的として, デバイスばらつきや動作環境変動の影響を動的に補償することを特徴とするリング状クロック分配回路を開発した. また, 0.18μmCMOSプロセスにより試作・評価を行い, 1GHzクロツクの低スキュー分配を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-05
著者
-
水野 正之
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
山品 正勝
Necラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
-
山品 正勝
Necシリコンシステム研究所 システムulsi研究部
-
水野 正之
NEC Corporation
-
山品 正勝
NEC Corporation
-
柴山 売文
日本電気シリコンシステム研究所
-
水野 正之
日本電気シリコンシステム研究所
-
安彦 仁
日本電気ULSIデバイス開発研究所
-
松本 明
日本電気ULSIデバイス開発研究所
-
中澤 陽悦
日本電気シリコンシステム研究所
-
出品 正勝
日本電気シリコンシステム研究所
-
柴山 充文
NEC Corporation
-
安彦 仁
NEC Corporation
-
松本 明
NEC Corporation
-
中澤 陽悦
NEC Corporation
-
中澤 陽悦
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
-
中沢 陽悦
Nec Corporation
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