デバイスばらつきを補償する低電力エラスティックVt CMOS技術
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概要
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LSIの消費電力の削減のために電源電圧を下げる場合、動作速度が低下しないように、MOSトランジスタのしきい値を低く設定する。この場合、トランジスタの漏れ電流が大きくなり、LSIの待機時電力を増加させてしまう。また、デバイスばらつきおよび温度等の動作環境の影響により先のしきい値が変動するため、従来LSIでは、これらの要因を考慮し最悪条件の下で設計しなければならなかった。今回、これらの問題を解決するEVt CMOS (Elastic-Vt CMOS)技術を開発した。この技術は、デバイスばらつきを自動補正し、LSIの歩留まりを向上させるとともに、柔軟な電力制御が可能となる。0.35μm CMOSプロセスにより、EVt CMOSを用いて加算器、メモリ、PLLを試作し、その基本性能を評価した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-06-20
著者
-
古田 浩一朗
NEC
-
古田 浩一朗
Necマイクロエレクトロニクス研究所
-
山品 正勝
Necラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
-
山品 正勝
Necシリコンシステム研究所 システムulsi研究部
-
山品 正勝
Necマイクロエレクトロニクス研究所 システムulsi研究部
-
安彦 仁
日本電気ULSIデバイス開発研究所
-
水野 正之
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
安彦 仁
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
成田 智
Necマイクロエレクトロニクス研究所
-
酒井 勲美
NEC Corporation
-
酒井 勲美
NEC ULSIデバイス開発研究所
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