酒井 勲美 | NEC Corporation
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概要
関連著者
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酒井 勲美
NEC Corporation
-
安彦 仁
日本電気ULSIデバイス開発研究所
-
山品 正勝
Necラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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山品 正勝
Necシリコンシステム研究所 システムulsi研究部
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水野 正之
NEC Corporation
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山品 正勝
NEC Corporation
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松本 明
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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安彦 仁
NEC Corporation
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田村 貴央
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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山田 泰久
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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益岡 完明
NEC Corporation
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山田 秦久
Nec エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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柴山 充文
NECシステムIPコア研究所
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古田 浩一朗
NEC
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柴山 充文
NEC Corporation
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松本 明
NEC Corporation
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中澤 陽悦
NEC Corporation
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中澤 陽悦
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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中沢 陽悦
Nec Corporation
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井上 顕
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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成田 智
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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小野 篤樹
NEC Corporation
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田村 貴央
NEC Corporation
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山田 泰久
NEC Corporation
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西沢 厚
NEC Corporation
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川本 英明
NEC Corporation
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井上 顕
NEC Corporation
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酒井 勲美
日本電気(株)
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井上 顕
日本電気(株)
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井上 顕
Necエレクトロニクス
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水野 正之
NECデバイスプラットフォーム研究所
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小田 典明
日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所
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古田 浩一朗
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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山品 正勝
Necマイクロエレクトロニクス研究所 システムulsi研究部
-
山本 豊二
MIRAI-ASET
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山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
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古田 浩一朗
NEC Corporation
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吉田 和由
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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水野 正之
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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田村 貴央
日本電気(株) ULSIデバイス開研究所
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吉田 和由
日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所
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安彦 仁
NEC ULSIデバイス開発研究所
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安彦 仁
日本電気(株)
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安彦 仁
日本電気株式会社
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松本 明
日本電気(株)
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山本 豊二
NEC、シリコンシステム研究所
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
-
林 喜宏
日本電気(株)
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林 喜宏
日本電気(株)マイクロエレクトロ二クス研究所
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成田 智
NEC Corporation
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酒井 勲美
NEC ULSIデバイス開発研究所
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川口 宏
日本電気(株)
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斎藤 幸重
日本電気(株)
-
山本 豊二
日本電気(株)
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徳永 賢一
日本電気(株)
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山田 泰久
日本電気(株)
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小野 篤樹
日本電気株式会社
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上野 隆一
NECシステムズ株式会社
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益岡 完明
日本電気株式会社
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獅子口 清一
日本電気株式会社
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中島 謙
日本電気株式会社
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酒井 勲美
日本電気株式会社
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小田 典明
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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徳永 賢一
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
著作論文
- クロックスキュー耐性のあるパイプラインレジスタ
- リング状クロック線による低スキュークロック分配方式
- デバイスばらつきを補償する低電力エラスティックVtCMOS技術
- デバイスばらつきを補償する低電力エラスティックVt CMOS技術
- 溝側壁注入により逆狭チャネル効果を抑制した0.2μmSTI技術
- 選択エピタキシャル成長と過渡的増速拡散抑制プロセスを用いた0.15μm n-nゲートCMOS技術(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- 配線寸法変動起因のクロックスキューを抑制する配線構造の検討