山田 秦久 | Nec エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

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概要

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• Nec エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部の論文著者

関連著者

• 山田 泰久

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 山田 秦久

  Nec エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 田村 貴央

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 安彦 仁

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 酒井 勲美

  NEC Corporation

• 柴山 充文

  NECシステムIPコア研究所

• 山品 正勝

  Necラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

• 山品 正勝

  Necシリコンシステム研究所 システムulsi研究部

• 水野 正之

  NEC Corporation

• 山品 正勝

  NEC Corporation

• 松本 明

  日本電気ULSIデバイス開発研究所

• 柴山 充文

  NEC Corporation

• 安彦 仁

  NEC Corporation

• 松本 明

  NEC Corporation

• 中澤 陽悦

  NEC Corporation

• 中澤 陽悦

  日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所

• 中沢 陽悦

  Nec Corporation

• 田村 貴央

  日本電気(株) ULSIデバイス開研究所

• 中島 謙

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 中島 謙

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 井上 顕

  Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部

• 小野 篤樹

  NEC Corporation

• 益岡 完明

  NEC Corporation

• 田村 貴央

  NEC Corporation

• 山田 泰久

  NEC Corporation

• 西沢 厚

  NEC Corporation

• 川本 英明

  NEC Corporation

• 井上 顕

  NEC Corporation

• 野末 寛

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 野末 寛

  Nec Ulsiデバイス開研

• 徳永 賢一

  日本電気(株)

• 山田 泰久

  日本電気(株)

• 井上 顕

  日本電気(株)

• 徳永 賢一

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 井上 顕

  Necエレクトロニクス

• 中村 典生

  Necエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 水野 正之

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 小山 晋

  NEC エレクトロニクス(株)

• 山本 豊二

  MIRAI-ASET

• 山本 豊二

  NECシリコンシステム研究所

• 吉田 和由

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 林 喜宏

  半導体MIRAI-ASET

• 今井 清隆

  NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部

• 深作 克彦

  ソニー株式会社

• 田村 貴央

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 吉田 和由

  日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所

• 安彦 仁

  日本電気(株)

• 小山 晋

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 松田 友子

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 国宗 依信

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 小野田 中

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 山本 豊二

  NEC、シリコンシステム研究所

• 林 喜宏

  マイクロエレクトロニクス研究所

• 林 喜宏

  日本電気(株)

• 小野 篤樹

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 深作 克彦

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 平井 友洋

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 真壁 真理子

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 松田 友子

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 国宗 依信

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 瀧本 道也

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 池澤 延幸

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 小場 文夫

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 今井 清隆

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 中村 典生

  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 平井 友洋

  NEC Electronics Corporation

• 林 喜宏

  日本電気(株)マイクロエレクトロ二クス研究所

• 池澤 延幸

  Necエレクトロニクス(株)

• 山下 浩

  日本電気(株) Ulsiデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 依馬 貴弘

  日本電気(株) Ulsiデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 小野 篤樹

  Necエレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 川口 宏

  日本電気(株)

• 斎藤 幸重

  日本電気(株)

• 山本 豊二

  日本電気(株)

• 酒井 勲美

  日本電気(株)

• 中島 謙

  日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 小島 義克

  日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 平沢 聡美

  日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 近藤 研二

  日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 小野田 中

  日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 野末 寛

  日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 山田 秦久

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 林 喜宏

  Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所

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著作論文

• 100nm世代SOC対応CMOSプロセス
• クロックスキュー耐性のあるパイプラインレジスタ
• リング状クロック線による低スキュークロック分配方式
• 溝側壁注入により逆狭チャネル効果を抑制した0.2μmSTI技術
• 0.15μm部分一括EB直描技術
• 部分一括EB対応近接効果補正処理

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