野末 寛 | NEC ULSIデバイス開発研究所

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• 小野田 中

  NECエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

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  NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部

• 山下 浩

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• 依馬 貴弘

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• 田村 貴央

  日本電気(株) ULSIデバイス開研究所

• 田村 貴央

  Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部

• 野村 英一

  Nec基礎研究所

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• 平沢 聡美

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• 近藤 研二

  日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 小野田 中

  日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 野末 寛

  日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部

• 山田 秦久

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 伊藤 勝志

  NEC ULSIデバイス開発研究所微細加工技術開発部

• 小島 義克

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• 小野田 中

  NEC ULSIデバイス開発研究所

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著作論文

• EB部分一括露光マスクにおける電子散乱
• 0.15μm部分一括EB直描技術
• 部分一括EB対応近接効果補正処理
• 部分一括描画法におけるクーロン効果の検討
• EB直描と光リソグラフィとの高次重ね合わせ補正方法

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