部分一括描画法におけるクーロン効果の検討
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概要
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電子線部分一括描画法における解像性を実験的に解析した。その結果、クーロン効果が解像性に大きく影響を与えていることが判明した。クーロン効果によるビームだれの大きさははビーム電流に比例しており、ビーム電流を小さくすることにより、解像性を向上させることが可能であることを示した。ビーム電流を小さくする手法として、部分一括転写領域の縮小及び低電流密度化がいずれも有効であることを確認した。これらの手法により、1G DRAM作製に必要とされる0.18μmの解像性を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-08-16
著者
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田村 貴央
NEC ULSIデバイス開発研究所
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山下 浩
日本電気(株) Ulsiデバイス開発研究所 微細加工技術開発部
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山下 浩
NEC ULSIデバイス開発研究所
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野末 寛
NEC ULSIデバイス開発研究所
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野末 寛
Nec Ulsiデバイス開研
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徳永 賢一
日本電気(株)
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伊藤 勝志
NEC ULSIデバイス開発研究所微細加工技術開発部
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徳永 賢一
NEC ULSIデバイス開発研究所微細加工技術開発部
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徳永 賢一
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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