高耐雑音、適応型ゲインVCOを用いた0.18μm CMOSホットスタンバイPLL
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概要
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携帯情報端末での重要な回路技術の1つにPLLがあるが、その設計には次の課題がある。すなわち、高速引き込み動作と低ジッタ動作を両立させることと、低電源電圧での電圧制御発振器等の雑音耐性を向上させることである。このために、我々は高速引き込み動作と低ジッタ動作を両立するホットスタンバイ技術と、低電源電圧でも雑音耐性が低下しない電圧制御発振器を開発した。0.18μm CMOS技術を用いて480μm×450μmに集積した。電源電圧0.5Vから1.8Vで動作し、1.0Vでは5MHzから200MHzのロックレンジで動作する。また、そのときのジッタは100ps以下で、引き込み時間は500ns以下となった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-07-27
著者
-
古田 浩一朗
NEC
-
宮本 秀信
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
古田 浩一朗
Necマイクロエレクトロニクス研究所
-
山品 正勝
Necラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
-
山品 正勝
Necシリコンシステム研究所 システムulsi研究部
-
山品 正勝
Necマイクロエレクトロニクス研究所 システムulsi研究部
-
水野 正之
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
田辺 昭
NECシリコンシステム研究所
-
古川 昭雄
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
-
田村 貴央
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
田辺 昭
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
古川 昭雄
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
安藤 岳
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
田村 貴央
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
-
宮本 秀信
Nec
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