MOS電流モード回路を用いた適応型パイプライン技術(2)
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概要
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従来、低電源電圧でGHzを超えるような動作周波数のLSIを設計する場合、MOSトランジスタのしきい値電圧等のデバイスばらつきや、電源電圧、温度等の動作環境変化で生ずる回路遅延のばらつきやロックスキューを厳密に考慮する必要が生じ、LSIの設計を困難にするばかりか、適度のマージンをとった設計を余儀なくされていた。今回、開発した適応型パイプライン(APL)技術を用いれば、デバイスばらつきや動作環境変化で生ずる回路遅延のばらつき、およびクロックスキューを回路的に自動的に補償して所望の動作周波数で動作するため、歩留まりが向上するだけでなく、そのデバイステクノロジーを最大限活用することができる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
水野 正之
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
古田 浩一朗
NEC
-
山品 正勝
NEC
-
山田 八郎
NEC
-
山田 八郎
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
山品 正勝
Necラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
-
山品 正勝
Necシリコンシステム研究所 システムulsi研究部
-
水野 正之
NEC Corporation
-
井倉 裕之
日本電気株式会社
-
井倉 裕之
NEC
-
安彦 仁
日本電気ULSIデバイス開発研究所
-
安彦 仁
NEC Corporation
-
岡部 一弘
NEC
-
小野 篤樹
NEC
-
小野 篤樹
NEC Corporation
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