MOS電流モード回路を用いてデバイスばらつき、動作環境変化クロックスキューを補償するアダプティブパイプライン技術
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概要
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従来、低電源電圧でGHzを超えるような動作周波数のLSIを設する場合、MOSトランジスタのしきい値電圧等のデバイスばらつきや、電源電圧、温度等の動作環境変化で生ずる回路遅延のばらつきやクロックスキューを厳密に考慮する必要が生じ、LSIの設計を困難にするばかりか、過度のマージンをとった設計を余儀なくされていた。今回、開発したアダプティブパイプライン(APL)技術を用いれば、デバイスばらつきや動作環境変化で生ずる回路遅延のばらつき、およびクロックスキューを回路的に自動的に補償して所望の動作周波数で動作するため、LSI製造上の歩留まりが向上するばかりか、そのデバイステクノロジーを最大限活用することができる。0.4μm MOS、電源電圧1.6V、動作周波数1GHzのAPL技術を適用した64ビット加算器の動作をSPICEシミュレーションで確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-20
著者
-
古田 浩一朗
NEC
-
山田 八郎
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
古田 浩一朗
Necマイクロエレクトロニクス研究所
-
山品 正勝
Necシリコンシステム研究所 システムulsi研究部
-
山品 正勝
Necマイクロエレクトロニクス研究所 システムulsi研究部
-
井倉 裕之
日本電気株式会社
-
安彦 仁
日本電気ULSIデバイス開発研究所
-
水野 正之
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
岡部 一弘
NEC
-
井倉 裕之
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
安彦 仁
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
岡部 一弘
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
小野 篤樹
NEC ULSIデバイス開発研究所
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