安彦 仁 | 日本電気ULSIデバイス開発研究所
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概要
関連著者
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安彦 仁
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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山品 正勝
Necシリコンシステム研究所 システムulsi研究部
-
山品 正勝
Necラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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安彦 仁
NEC Corporation
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山田 八郎
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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井倉 裕之
日本電気株式会社
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岡部 一弘
NEC
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水野 正之
NEC Corporation
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小野 篤樹
NEC Corporation
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古田 浩一朗
NEC
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水野 正之
NECデバイスプラットフォーム研究所
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山品 正勝
NEC
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山田 八郎
NEC
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山品 正勝
NEC Corporation
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井倉 裕之
NEC
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松本 明
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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小野 篤樹
NEC
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酒井 勲美
NEC Corporation
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野村 昌弘
Necエレクトロニクス(株)lsi基礎開発研究所
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野村 昌弘
STARC
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山品 正勝
Necマイクロエレクトロニクス研究所 システムulsi研究部
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柴山 充文
NEC Corporation
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松本 明
NEC Corporation
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中澤 陽悦
NEC Corporation
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中澤 陽悦
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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中沢 陽悦
Nec Corporation
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泉川 正則
NEC
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中山 貴司
NEC
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安彦 仁
NEC ULSIデバイス開発研究所
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鈴木 一正
Nec
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柴山 充文
NECシステムIPコア研究所
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鈴木 一正
NECシリコンシステム研究所
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水野 正之
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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井倉 裕之
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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岡部 一弘
NEC ULSIデバイス開発研究所
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小野 篤樹
NEC ULSIデバイス開発研究所
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安彦 仁
日本電気(株)
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田村 貴央
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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山田 泰久
NEC エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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益岡 完明
NEC Corporation
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山田 秦久
Nec エレクトロンデバイス 先端デバイス開発本部
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野村 昌弘
Nec
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後藤 順一
日本電気株式会社
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深石 宗生
NECシステムIPコア研究所
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後藤 順一
NEC
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四柳 道夫
NECエレクトロニクス株式会社基盤技術開発本部
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井上 俊明
川崎市公害研究所
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古田 浩一朗
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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井上 俊明
NEC
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野村 昌弘
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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安彦 仁
日本電気株式会社
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中村 和之
日本電気(株)
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深石 宗生
日本電気(株)
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松本 明
日本電気(株)
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四柳 道夫
日本電気(株)
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井上 顕
Necエレクトロニクス株式会社先端デバイス開発事業部
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井上 俊明
NECシリコンシステム研究所
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四柳 道夫
Necエレクトロニクス(株)
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四柳 道夫
Nec
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中村 和之
九州工大
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成田 智
Necマイクロエレクトロニクス研究所
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田村 貴央
NEC Corporation
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山田 泰久
NEC Corporation
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西沢 厚
NEC Corporation
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川本 英明
NEC Corporation
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井上 顕
NEC Corporation
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井上 顕
日本電気(株)
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井上 顕
Necエレクトロニクス
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松本 明
日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所
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山本 豊二
MIRAI-ASET
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山本 豊二
NECシリコンシステム研究所
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柴山 売文
日本電気シリコンシステム研究所
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水野 正之
日本電気シリコンシステム研究所
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中澤 陽悦
日本電気シリコンシステム研究所
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出品 正勝
日本電気シリコンシステム研究所
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古田 浩一朗
NEC Corporation
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吉田 和由
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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四柳 道夫
日本電気株式会社NECエレクトロンデバイスシステムLSI事業本部システムLSI設計技術本部
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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田村 貴央
日本電気(株) ULSIデバイス開研究所
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吉田 和由
日本電気(株) ULSIデバイス開発研究所
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鈴木 一正
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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泉川 正則
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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中山 貴司
NEC ULSIシステム開発研究所
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古田 浩一郎
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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塀内 秀樹
NEC
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小関 陽一
NEC
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矢野 陽一
NEC
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中村 和之
日本電気株式会社
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深石 宗生
日本電気株式会社
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矢野 陽一
NECエレクトロニクスインコーポレイテッド
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山本 豊二
NEC、シリコンシステム研究所
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林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
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四柳 道夫
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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深石 宗生
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
-
林 喜宏
日本電気(株)
-
林 喜宏
日本電気(株)マイクロエレクトロ二クス研究所
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小関 陽一
NECマイクロエレクトロニクス研究所システムULSI研究部
-
矢野 陽一
日本電気株式会社ulsiシステム開発研究所
-
成田 智
NEC Corporation
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酒井 勲美
NEC ULSIデバイス開発研究所
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川口 宏
日本電気(株)
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斎藤 幸重
日本電気(株)
-
山本 豊二
日本電気(株)
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徳永 賢一
日本電気(株)
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山田 泰久
日本電気(株)
-
酒井 勲美
日本電気(株)
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小野 篤樹
日本電気株式会社
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上野 隆一
NECシステムズ株式会社
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益岡 完明
日本電気株式会社
-
獅子口 清一
日本電気株式会社
-
中島 謙
日本電気株式会社
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酒井 勲美
日本電気株式会社
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徳永 賢一
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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林 喜宏
Necエレクトロニクス株式会社 Lsi基礎開発研究所
著作論文
- リング状クロック線による低スキュークロック分配回路
- 500MHz 32ワード x32ビット 3ポートレジスタファイル
- 500MHz 0.4μm CMOS 32ワード×32ビット3ポートレジスタファイル
- MOS電流モード(MCML)回路の消費電力特性の解析
- MOS電流モード回路を用いた適応型パイプライン技術(2)
- MOS電流モード回路を用いた適応型パイプライン技術(1)
- MOS電流モード回路を用いてデバイスばらつき、動作環境変化クロックスキューを補償するアダプティブパイプライン技術
- 1.8GHz 1.6V MOS電流モード(MCML)フリップフロップ回路
- 500HMz,1.5%ジッタPLLクロック発生回路
- 500MHz32ビット0.4μm CMOS RISCマイクロプロセッサ
- 位相比較機能を有する6Gbps動作のCMOS DEMUXモジュール
- リング状クロック線による低スキュークロック分配回路
- クロックスキュー耐性のあるパイプラインレジスタ
- リング状クロック線による低スキュークロック分配方式
- デバイスばらつきを補償する低電力エラスティックVtCMOS技術
- デバイスばらつきを補償する低電力エラスティックVt CMOS技術
- 0.18μmロジック用CMOSデバイス開発 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- 位相比較機能を有する6Gbps動作のCMOS DEMUXモジュール
- 溝側壁注入により逆狭チャネル効果を抑制した0.2μmSTI技術
- 選択エピタキシャル成長と過渡的増速拡散抑制プロセスを用いた0.15μm n-nゲートCMOS技術(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)