中村 和之 | 九州工大
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概要
関連著者
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中村 和之
日本電気(株)
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中村 和之
九州工大
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深石 宗生
NECシステムIPコア研究所
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四柳 道夫
NECエレクトロニクス株式会社基盤技術開発本部
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四柳 道夫
Necエレクトロニクス(株)
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四柳 道夫
Nec
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深石 宗生
日本電気(株)
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深石 宗生
日本電気株式会社
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深石 宗生
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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四柳 道夫
日本電気(株)
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中澤 陽悦
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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中沢 陽悦
Nec Corporation
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広田 義則
Nec R&dサポートセンター
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中村 和之
日本電気株式会社
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廣田 義則
Nec R&dサポートセンター
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四柳 道夫
日本電気株式会社NECエレクトロンデバイスシステムLSI事業本部システムLSI設計技術本部
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四柳 道夫
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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筒井 豊
日本電気(株)マイクロコンピュータ事業部
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佐藤 政春
日本電気(株)マイクロコンピュータ事業部
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岸 修司
日本電気(株)マイクロコンピュータ事業部
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山口 晃一
日本電気株式会社
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広田 義則
日本電気株式会社
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深石 宗生
NEC Corporation
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中村 和之
NEC Corporation
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四柳 道夫
NEC Corporation
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阪本 雄彦
日本電気株式会社
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秋山 直人
日本電気(株)
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中村 和之
九州工業大学マイクロ化総合技術センター
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佐々木 純一
山梨日本電気株式会社光モジュール開発グループ
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佐々木 純一
日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所
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安彦 仁
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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松本 明
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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吉川 隆士
日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所
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加美 伸治
日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所
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加美 伸治
NECシステムプラットフォーム研究所
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蔵田 和彦
日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所
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中沢 陽悦
日本電気株式会社
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田中 敬
Nec生産技術研究所
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山口 晃一
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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蔵田 和彦
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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安彦 仁
日本電気(株)
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松本 明
日本電気(株)
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三好 一徳
日本電気(株)システムプラットフォーム研究所
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杉本 宝
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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畠山 意知郎
日本電気株式会社 システムプラットフォーム研究所
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三好 一徳
日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所
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佐々木 純一
日本電気株式会社 システムプラットフォーム研究所
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中村 和之
九州工業大学
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畠山 意知郎
日本電気株式会社
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田中 敬
日本電気株式会社生産技術研究所
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三好 一徳
光・超高周波デバイス研究所
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広田 義則
日本電気(株)
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中沢 陽悦
日本電気(株)
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塀内 秀樹
NEC Corporation
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池野 英徳
NEC Corporation
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葉山 浩
NEC Corporation
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葉山 浩
NECエレクトロニクス
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山口 晃一
日本電気(株)
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阪本 雄彦
日本電気(株)
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杉本 宝
NEC光デバイス事業部
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永里 壮一
日本電気株式会社
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杉本 宝
日本電気株式会社
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加美 伸治
NECクラウドシステム研究所:東京大学先端科学技術研究センター
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佐々木 純一
日本電気株式会社
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加美 伸治
日本電気株式会社
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棚橋 俊夫
NECコンピュータ事業部
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栗栖 正和
NECシステムULSI開発本部
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山口 博史
NECコンピュータ事業部
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根立 貴章
NECコンピュータ事業部
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新井 雅裕
NECコンピュータ事業部
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泊 史朗
NECコンピュータ事業部
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松崎 勉
NECシステムULSI開発本部
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中村 和之
NECシリコンシステム研究所
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深石 宗生
NECシリコンシステム研究所
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楢本 真三
NECエンジニアリングサイバーソリューションズ事業部
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佐藤 隆徳
NECエンジニアリングサイバーソリューションズ事業部
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松本 明
日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所
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泊 史朗
日本電気株式会社
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山口 博史
日本電気株式会社
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中澤 陽悦
日本電気株式会社
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葉山 浩
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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蔵田 和彦
日本電気株式会社光・超高周波デバイス研究所
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蔵田 和彦
Necシステムプラットフォーム研究所
-
安彦 仁
日本電気株式会社
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蔵田 和彦
日本電気 ナノエレクトロニクス研究所
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佐藤 政春
NEC Corporation
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筒井 豊
NEC Corporation
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岸 修司
NEC Corporation
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根立 貴章
日本電気株式会社
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塀内 秀樹
日本電気株式会社
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池野 英徳
日本電気株式会社
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広田 義則
NEC Corporation
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秋山 直人
日本電気株式会社
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永里 壮一
NEC Corporation
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蔵田 和彦
日本電気(株)グリーンイノベーション研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
著作論文
- プロセッサ間通信向けの2Gb/s×21CH低レイテンシ・トランシーバ回路の開発 (「VLSI一般」)
- 位相比較機能を有する6Gbps動作のCMOS DEMUXモジュール
- 4.25Gb/s CMOSファイバチャネルトランシーバLSI
- 4.25Gb/s CMOSファイバチャネルトランシーバLSI
- 4.25Gb/s CMOS ファイバチャネルトランシーバLSI
- 4.25Gb/s CMOSファイバチャネルトランシーバLSI
- OIP(Optical-interconnection as an IP macro)による3.125Gb/s16×16クロスポイントスイッチ
- OIP(Optical-interconnection as an IP macro)による3.125Gb/s 16×16クロスポイントスイッチ
- 相補位相ブレンド方式によるデューティ50%補償CMOSリピータ
- 相補位相ブレンド方式によるデューティ50%補償CMOSリピータ
- C-12-17 CMOS高速クロック&データリカバリ回路の開発
- C-12-13 相補位相ブレンド方式によるデューティ50%補償CMOSリピータ
- 20Gb/s CMOS マルチチャンネル送信、受信LSI(2)
- 20Gb/s CMOS マルチチャンネル送信、受信LSI(1) : 全体構成
- フィードバック制御不要で多相化可能な2.5GHz-4相クロック発生回路の開発 (「VLSI一般」)
- フィードバック制御不要で多相化可能な2.5GHz-4相クロック発生回路の開発
- C-12-11 フィードバック制御不要で多相化可能な2.5GHz 4相クロック発生回路の開発
- 位相比較機能を有する6Gbps動作のCMOS DEMUXモジュール
- C-12-59 高速PLLにおける回路遅延による位相余裕の劣化とその影響
- 非同期ツリー型構造を用いた5Gb/s動作のCMOS1:8DEMUX 回路