深石 宗生 | NECシステムIPコア研究所
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概要
関連著者
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深石 宗生
NECシステムIPコア研究所
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四柳 道夫
NECエレクトロニクス株式会社基盤技術開発本部
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中村 和之
日本電気(株)
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四柳 道夫
Necエレクトロニクス(株)
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中村 和之
九州工大
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四柳 道夫
Nec
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深石 宗生
日本電気株式会社
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深石 宗生
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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深石 宗生
日本電気(株)
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日本電気株式会社
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四柳 道夫
日本電気(株)
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栗栖 正和
NECシステムULSI開発本部
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徳島 正敏
日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所
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田中 憲一
日本電気株式会社
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中澤 陽悦
日本電気(株)デバイスプラットフォーム研究所
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中沢 陽悦
Nec Corporation
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広田 義則
Nec R&dサポートセンター
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中村 和之
日本電気株式会社
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前多 正
NEC光・無線デバイス研究所
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竹内 正浩
日本電気株式会社
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石川 昌興
NEC光・超高周波デバイス研究所
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阪本 雄彦
日本電気株式会社
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廣田 義則
Nec R&dサポートセンター
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沼田 圭市
NEC
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藤井 正浩
日本電気(株)
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藤井 正浩
Nec光・無線デバイス研究所
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藤井 正浩
Nec光・超高周波デバイス研究所
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四柳 道夫
日本電気株式会社NECエレクトロンデバイスシステムLSI事業本部システムLSI設計技術本部
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栗栖 正和
日本電気株式会社
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四柳 道夫
日本電気株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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吉田 信秀
日本電気株式会社
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佐伯 貴範
日本電気株式会社
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中村 聡
日本電気株式会社
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宮本 秀信
NEC ULSIデバイス開発研究所
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木下 靖
NEC
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山崎 亨
Nec 先端デバイス開発本部
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Selete
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井谷 俊郎
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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鈴木 久満
NEC ULSIデバイス開発研究所
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筒井 豊
日本電気(株)マイクロコンピュータ事業部
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和田 茂巳
日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所
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佐藤 政春
日本電気(株)マイクロコンピュータ事業部
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岸 修司
日本電気(株)マイクロコンピュータ事業部
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鈴木 久満
Nec 先端デバイス開発本部
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和田 茂己
NEC システムデバイス研究所
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和田 茂己
NECデバイスプラットフォーム研究所
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井谷 俊郎
Nec
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宮本 秀信
Nec
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深石 宗生
NECシリコンシステム研究所
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前多 正
ルネサスエレクトロニクス(株)技術開発部
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東海林 貴司
ルネサスエレクトロニクス(株)技術開発部
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狐塚 正樹
NECシステムIPコア研究所
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岡田 光司
ルネサスエレクトロニクス(株)技術開発部
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井谷 俊郎
NEC ULSIデバイス開発研究所
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広田 義則
日本電気株式会社
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早田 征明
日本電気株式会社C&Cメディア研究所
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逸見 直也
NEC光エレクトロニクス研究所
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樋田 光
NEC光・無線デバイス研究所
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森下 泰之
日本電気株式会社
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金子 伴行
日本電気株式会社
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沼田 圭市
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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徳島 正敏
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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深石 宗生
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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石川 昌興
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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前多 正
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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深石 宗生
NEC Corporation
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中村 和之
NEC Corporation
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四柳 道夫
NEC Corporation
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樋田 光
NECエレクトロニクス(株)
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中村 聡
NEC ULSIデバイス開発研究所
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秋山 直人
日本電気(株)
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早田 征明
日本電気株式会社
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樋田 光
Necエレクトロニクス
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末村 剛彦
日本電気(株)ネットワーキング研究所
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末村 剛彦
NEC Corporation
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田島 章雄
NECシステムプラットフォーム研究所
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乾 重人
Necシステムデバイス研究所
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安彦 仁
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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松本 明
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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中沢 陽悦
日本電気株式会社
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山崎 亨
NEC
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大野 泰夫
Nec光エレクトロニクス研究所
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安彦 仁
日本電気(株)
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松本 明
日本電気(株)
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鈴木 久満
NECULSIデバイス開発研究所
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逸見 直也
Nec C&cメディア研
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逸見 直也
日本電気株式会社c&cメディア研究所
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吉田 信秀
NEC光・無線デバイス研究所
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深石 宗生
Nec
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深石 宗生
Necシステムデバイス研究所
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前多 正
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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沼田 圭市
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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藤井 正浩
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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徳島 正敏
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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和田 茂己
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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深石 宗生
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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石川 昌興
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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藤井 正浩
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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大野 泰夫
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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樋田 光
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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吉田 信秀
NECデバイスプラットフォーム研究所
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内田 浩亨
日本電気株式会社
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多胡 州星
日本電気株式会社
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根立 貴章
日本電気株式会社
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広田 義則
日本電気(株)
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中沢 陽悦
日本電気(株)
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塀内 秀樹
NEC Corporation
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池野 英徳
NEC Corporation
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葉山 浩
NEC Corporation
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葉山 浩
NECエレクトロニクス
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山口 晃一
日本電気(株)
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阪本 雄彦
日本電気(株)
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中村 聡
NEC Corporation
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永里 壮一
日本電気株式会社
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前多 正
ルネサスエレクトロニクス(株)技術開発本部
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田島 章雄
Nec
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大野 泰夫
Nec
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棚橋 俊夫
NECコンピュータ事業部
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山口 博史
NECコンピュータ事業部
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根立 貴章
NECコンピュータ事業部
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新井 雅裕
NECコンピュータ事業部
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泊 史朗
NECコンピュータ事業部
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松崎 勉
NECシステムULSI開発本部
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中村 和之
NECシリコンシステム研究所
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楢本 真三
NECエンジニアリングサイバーソリューションズ事業部
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佐藤 隆徳
NECエンジニアリングサイバーソリューションズ事業部
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松本 明
日本電気株式会社 ULSIデバイス開発研究所
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泊 史朗
日本電気株式会社
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山口 博史
日本電気株式会社
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野瀬 浩一
日本電気株式会社:慶應義塾大学
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中澤 陽悦
日本電気株式会社
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逸見 直也
日本電気(株)
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四柳 道夫
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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葉山 浩
日本電気株式会社機能デバイス研究所
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木下 靖
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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安彦 仁
日本電気株式会社
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田島 章雄
NEC光エレクトロニクス研究所
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逸見 直也
日本電気(株)c&cメディア研究所
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内田 浩享
日本電気株式会社
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吉田 信秀
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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和田 茂己
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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深石 宋生
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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和田 茂己
NECマクロエレクトロニクス研究所
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徳島 正敏
NECマクロエレクトロニクス研究所
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深石 宋生
NECマクロエレクトロニクス研究所
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石川 昌興
NECマクロエレクトロニクス研究所
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松野 典明
NECマクロエレクトロニクス研究所
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吉田 信秀
NECマクロエレクトロニクス研究所
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矢野 仁之
NECマクロエレクトロニクス研究所
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藤井 正浩
NECマクロエレクトロニクス研究所
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樋田 光
NECマクロエレクトロニクス研究所
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前多 正
NECマクロエレクトロニクス研究所
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佐藤 政春
NEC Corporation
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筒井 豊
NEC Corporation
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岸 修司
NEC Corporation
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高宮 真
日本電気株式会社
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矢野 仁之
NECデバイスプラットフォーム研究所
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森田 将人
日本電気株式会社
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佐伯 貴紀
日本電気株式会社
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山崎 亨
NEC ULSIデバイス開発研究所
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帰山 隼一
日本電気株式会社
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須永 和久
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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中川 源洋
日本電気株式会社
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菅原 光俊
NECエレクトロニクスアメリカ(株)
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末村 剛彦
NEC光エレクトロニクス研究所
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塀内 秀樹
日本電気株式会社
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池野 英徳
日本電気株式会社
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広田 義則
NEC Corporation
-
田島 章雄
日本電気(株)
-
秋山 直人
日本電気株式会社
-
中村 聡
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
-
木下 靖
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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鈴木 久満
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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井谷 俊郎
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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宮本 秀信
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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山崎 亨
日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所
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菅原 光俊
Necエレクトロニクスアメリカ
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菅原 光俊
日電
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永里 壮一
NEC Corporation
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宮本 秀信
日本電気(株)necエレクトロンディバイス 光端デバイス開発本部 高集積技術gr
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山崎 亨
日本電気(株) 超lsi開発本部
-
中川 源洋
日本電気株式会社:慶應義塾大学
-
須永 和久
日本電気株式会社システムipコア研究所
-
菅原 光俊
NECエレクトロニクス アメリカ(株)
著作論文
- 招待講演 時間窓動作TDCを内蔵した2.1-2.8GHz低雑音デジタルPLL (情報センシング)
- プロセッサ間通信向けの2Gb/s×21CH低レイテンシ・トランシーバ回路の開発 (「VLSI一般」)
- 時間窓動作TDCを内蔵した2.1-2.8GHz低雑音デジタルPLL(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 位相比較機能を有する6Gbps動作のCMOS DEMUXモジュール
- C-12-8 0.13μmCMOS5Gbps×20chトランシーバLSI(1)TX
- 2.4mW/16GHz GaAs疑似差動フリップフロップQD-FF
- 超低消費電力 2.4Gbps 8 : 1 MUX/ 1 : 8 DEMUX
- 超低消費電力2.4Gb/s 8:1 MUX/1:8 DEMUX
- 基板電位印加によるGaAsDCFL回路の温度変動補償
- 超低電圧駆動0.2μm高アスペクト比Y型ゲート構造IS^3-HJFET IC
- 超低電圧駆動高速フリップフロップTD-FF
- 4.25Gb/s CMOSファイバチャネルトランシーバLSI
- 4.25Gb/s CMOSファイバチャネルトランシーバLSI
- 4.25Gb/s CMOS ファイバチャネルトランシーバLSI
- 4.25Gb/s CMOSファイバチャネルトランシーバLSI
- 0.13μm CMOS 5Gbps×20chトランシーバLSI
- C-12-11 0.13um CMOS 5Gbps×20ch トランシーバLSI : (4)チャネル間同期
- C-12-10 0.13um CMOS 5Gbps×20ch トランシーバLSI : (3)CDR
- C-12-9 0.13um CMOS 5Gbps×20ch トランシーバLSI(2)IO
- 移動体通信,通信 5Gbps 20chトランシーバマクロの開発 (半導体デバイス特集) -- (コミュニケーション関連デバイス)
- 時間窓動作TDCを内蔵した2.1-2.8GHz低雑音デジタルPLL(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- オーバーサンプル・エッジイコライズ技術による12Gb/sデュオ・バイナリ伝送(VLSI一般(ISSCC2005特集))
- SC-12-7 2.125Gb/s BiCMOS ファイバチャネル送信LSI
- AV-DSPDアーキテクチャを用いた4.25GHz BiCMOSクロックリカバリ回路
- 4 Gb/s光データリンク用BiCMOS PLL回路 : クロック逓倍回路、クロック抽出回路
- 相補位相ブレンド方式によるデューティ50%補償CMOSリピータ
- 相補位相ブレンド方式によるデューティ50%補償CMOSリピータ
- C-12-17 CMOS高速クロック&データリカバリ回路の開発
- C-12-13 相補位相ブレンド方式によるデューティ50%補償CMOSリピータ
- 20Gb/s CMOS マルチチャンネル送信、受信LSI(2)
- 20Gb/s CMOS マルチチャンネル送信、受信LSI(1) : 全体構成
- フィードバック制御不要で多相化可能な2.5GHz-4相クロック発生回路の開発 (「VLSI一般」)
- フィードバック制御不要で多相化可能な2.5GHz-4相クロック発生回路の開発
- C-12-11 フィードバック制御不要で多相化可能な2.5GHz 4相クロック発生回路の開発
- AV-DSPDアーキテクチャを用いた4.25GHz BiCMOSクロックリカバリ回路
- 位相比較機能を有する6Gbps動作のCMOS DEMUXモジュール
- C-12-59 高速PLLにおける回路遅延による位相余裕の劣化とその影響
- 非同期ツリー型構造を用いた5Gb/s動作のCMOS1:8DEMUX 回路
- GHzプロセッサを支える高速回路技術
- GHzプロセッサを支える : 高速回路技術