大野 泰夫 | Nec

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概要

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• 大野 泰夫

  Nec

• 大野 泰夫

  Nec光エレクトロニクス研究所

• 前多 正

  NEC光・無線デバイス研究所

• 藤井 正浩

  日本電気(株)

• 藤井 正浩

  Nec光・無線デバイス研究所

• 藤井 正浩

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 浅井 周二

  日本電気(株)

• 浅井 周二

  NEC ULSIデバイス開発本部

• 藤井 正浩

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 前多 正

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 大野 泰夫

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 古畑 直規

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 深石 宗生

  NECシステムIPコア研究所

• 沼田 圭市

  NEC

• 徳島 正敏

  日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所

• 樋田 光

  NEC光・無線デバイス研究所

• 石川 昌興

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 沼田 圭市

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 徳島 正敏

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 石川 昌興

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 前多 正

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 樋田 光

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 樋田 光

  NECエレクトロニクス(株)

• 大野 泰夫

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 樋田 光

  Necエレクトロニクス

• 大野 泰夫

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 藤井 正浩

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 深石 宗生

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 深石 宋生

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 北城 栄

  日本電気

• 伊東 朋弘

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所超高速デバイス研究部

• 後藤 典夫

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 能米 雅信

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 能米 雅信

  Nec光エレクトロニクス研究所

• 伊東 朋弘

  日本電気(株)化合物デバイス事業部

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著作論文

• 基板電位印加によるGaAsDCFL回路の温度変動補償
• 超低電圧駆動高速フリップフロップTD-FF
• LSI基板の熱応力シミュレ-ション--ランプアニ-ル時の熱応力解析 (セラミックスとシミュレ-ション)
• ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価
• ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価
• ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価
• GaAs ICにおけるサイドゲート効果
• HJFET非対称埋め込みp層におけるドレインラグのシミュレーション

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