藤井 正浩 | Nec光・無線デバイス研究所

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概要

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関連著者

• 藤井 正浩

  日本電気(株)

• 藤井 正浩

  Nec光・無線デバイス研究所

• 藤井 正浩

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 藤井 正浩

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 前多 正

  NEC光・無線デバイス研究所

• 徳島 正敏

  日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所

• 吉田 信秀

  NEC光・無線デバイス研究所

• 和田 茂巳

  日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所

• 吉田 信秀

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 和田 茂己

  NEC システムデバイス研究所

• 和田 茂己

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 石川 昌興

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 榎本 忠儀

  中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻

• 浅井 周二

  日本電気(株)

• 沼田 圭市

  NEC

• 佐藤 輝忠

  中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻

• 吉田 信秀

  日本電気(株)

• 山崎 仁

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 佐藤 輝忠

  中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻 : (現)(株)東芝

• 山崎 仁

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 廣部 厚紀

  中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻 : (現)日本電気(株)

• 樋田 光

  NEC光・無線デバイス研究所

• 和田 茂己

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 徳島 正敏

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 岩田 治也

  中央大学

• 樋田 光

  NECエレクトロニクス(株)

• 樋田 光

  Necエレクトロニクス

• 浅井 周二

  NEC ULSIデバイス開発本部

• 前多 正

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 榎本 忠儀

  中央大学大学院理学部研究科情報工学専攻

• 深石 宗生

  NECシステムIPコア研究所

• 廣部 厚紀

  中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻

• 榎本 忠儀

  中央大学 大学院 理工学研究科 情報工学専攻

• 廣部 厚紀

  中央大学

• 大野 泰夫

  Nec光エレクトロニクス研究所

• 藤井 正浩

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 前多 正

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 大橋 政芳

  中央大学大学院理工学研究科

• 松野 典朗

  Necシステムデバイス研究所

• 平山 知央

  NEC光・無線デバイス研究所

• 大橋 政芳

  中央大学

• 大野 泰夫

  Nec

• 筒井 宏彰

  NEC ULSIデバイス開発本部

• 吉田 信秀

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 沼田 圭市

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 藤井 正浩

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 筒井 宏彰

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 古畑 直規

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 青木 雄一

  日本電気(株)

• 山口 昌幸

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 清水 淳一

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 河野 通久

  NEC ULSIデバイス開発本部

• 及川 洋一

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 羽山 信幸

  NEC光・無線デバイス研究所

• 羽山 信幸

  Nec

• 厚母 敬生

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 沼田 圭市

  NEC伝送共通技術本部

• 福知 清

  システムプラットフォーム研究所

• 清水 淳一

  NEC化合物デバイス株式会社

• 山口 昌幸

  NEC化合物デバイス事業部

• 松野 典朗

  NEC光・無線デバイス研究所

• 沼田 圭市

  NEC光・無線デバイス研究所

• 石坂 政茂

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 前多 正

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 沼田 圭市

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 藤井 正浩

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 徳島 正敏

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 和田 茂己

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 深石 宗生

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 石川 昌興

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 吉田 信秀

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 徳島 正敏

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 石川 昌興

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 石坂 政茂

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 山口 昌幸

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 河野 通久

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 石坂 政茂

  Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 石山 英実

  中央大学

• 平山 知央

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 松野 典朗

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 樋田 光

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 青木 雄一

  NEC光・無線デバイス研究所

• 石坂 政茂

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 石坂 政茂

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 國弘 和明

  東工大理

• 大野 泰夫

  徳島大学

• 鹿野 裕明

  中央大学理工学部情報工学科

• 国弘 和明

  Nec

• 国弘 和明

  NEC光・無線デバイス研究所

• 大野 泰夫

  NEC光・無線デバイス研究所

• 大野 泰夫

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 福知 清

  Nec C&cメディア研究所

• 岩田 治也

  中央大学大学院理工学研究科

• 和田 茂己

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 深石 宗生

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 大野 泰夫

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 深石 宋生

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 樋田 光

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 和田 茂己

  NECマクロエレクトロニクス研究所

• 徳島 正敏

  NECマクロエレクトロニクス研究所

• 深石 宋生

  NECマクロエレクトロニクス研究所

• 石川 昌興

  NECマクロエレクトロニクス研究所

• 松野 典明

  NECマクロエレクトロニクス研究所

• 吉田 信秀

  NECマクロエレクトロニクス研究所

• 矢野 仁之

  NECマクロエレクトロニクス研究所

• 藤井 正浩

  NECマクロエレクトロニクス研究所

• 樋田 光

  NECマクロエレクトロニクス研究所

• 前多 正

  NECマクロエレクトロニクス研究所

• 矢野 仁之

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 福知 清

  C&Cメディア研究所

• 和田 茂己

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 丹羽 隆樹

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 山崎 仁

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 石川 昌興

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 前多 正

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 丹羽 隆樹

  NEC化合物デバイス事業部

• 山崎 仁

  Nec 光・超高周波デバイス研

• 岩田 治也

  (株)東芝

• 前多 正

  Nec 光・超高周波デバイス研

• 鹿野 裕明

  中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻

• 石山 英実

  中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻

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著作論文

• 高速低電力GaAsディレイフリップフロップの設計、試作、評価
• 5GHz, 1.93mWネガティブエッジ形GaAsディレイフリップフロップの試作とその性能
• 10 Gbps光伝送用ECL互換GaAs 8:1 MUX/1:8 DEMUX
• ECL互換GaAs HJFET 10Gbps 8:1 MUX/1:8 DEMUX
• 携帯機器に向けたGaAs動画像動きベクトル検出回路
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• 0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
• 0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
• 0.1μm Double-Deck-Shaped(DDS)ゲートE/D-HJFETを用いた28GHz/120mW動作GaAs256/258可変分周器IC
• 27GHz/151mW動作GaAs256/258可変分周器IC
• 超高速・低電力16ビットGaAs BLC加算回路の設計、試作、評価
• 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
• 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
• 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
• 高速超低消費電力GaAs 256/258可変分周器IC
• 2.4mW/16GHz GaAs疑似差動フリップフロップQD-FF
• 超低消費電力 2.4Gbps 8 : 1 MUX/ 1 : 8 DEMUX
• 超低消費電力2.4Gb/s 8:1 MUX/1:8 DEMUX
• 基板電位印加によるGaAsDCFL回路の温度変動補償
• 超低電圧駆動0.2μm高アスペクト比Y型ゲート構造IS^3-HJFET IC
• C-10-11 0.1μmDDSゲート構造タブルドープAlGaAs/InGaAs-HJFETを用いた38GHzスタティック分周器IC
• B-10-59 低消費電力EA変調器ドライバIC内蔵10Gb/s光送信モジュール
• 低消費電力10Gb/s EA変調器ドライバIC
• 低電圧駆動疑似差動型フリップフロップ : QD-FF(Quasi Differential switch Flip-Flop)
• 高速低電力GaAsディレイフリップフロップの設計、試作、評価
• 高速低電力GaAsディレイフリップフロップの設計、試作、評価
• GaAsディレイフリップフロップの出力波形の最適化
• 低電力化に向けたDC/DC変換器とGaAs SRAMへの応用
• HJFETのドレインラグとGaAsデジタルICのマーク率効果との相関
• W-CDMA用2段パワーアンプHBT MMICにおける歪み相殺を用いた効率向上手法
• W-CDMA用2段パワーアンプHBT MMICにおける歪み相殺を用いた効率向上手法
• W-CDMA用2段パワーアンプHBT MMICにおける歪み相殺を用いた効率向上手法
• W-CDMA用2段パワーアンプHBT MMICにおける歪み相殺を用いた効率向上手法
• 5GHz帯無線LAN用23/3dB利得切替低雑音増幅器
• 5GHz帯無線LAN用23/3dB利得切替低雑音増幅器
• ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価
• ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価
• ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価
• 0.5μm GaAs HJFETを用いた10 Gbps動作低消費電力ソースフォロワレスSCFL D-FF
• 動的制御可能なDC/DCレベルコンバータとその応用
• ソースフォロワを除去した低消費電力GaAs SCFL D-FFの提案

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