大野 泰夫 | Nec光エレクトロニクス研究所

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概要

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• 大野 泰夫

  Nec光エレクトロニクス研究所

• 大野 泰夫

  Nec

• 前多 正

  NEC光・無線デバイス研究所

• 藤井 正浩

  日本電気(株)

• 藤井 正浩

  Nec光・無線デバイス研究所

• 藤井 正浩

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 大野 泰夫

  徳島大学

• 大野 泰夫

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 浅井 周二

  日本電気(株)

• 浅井 周二

  NEC ULSIデバイス開発本部

• 國弘 和明

  東工大理

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• 藤井 正浩

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 前多 正

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 大野 泰夫

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 古畑 直規

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 能米 雅信

  Nec光エレクトロニクス研究所

• 国弘 和明

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 深石 宗生

  NECシステムIPコア研究所

• 沼田 圭市

  NEC

• 徳島 正敏

  日本電気(株)光・超高周波数デバイス研究所

• 樋田 光

  NEC光・無線デバイス研究所

• 石川 昌興

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 沼田 圭市

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 徳島 正敏

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 石川 昌興

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• 前多 正

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• 樋田 光

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 樋田 光

  NECエレクトロニクス(株)

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• 高橋 裕之

  Nec

• 笠原 健資

  NEC光・無線デバイス研究所

• 大久保 哲

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 大久保 哲

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• 高橋 裕之

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著作論文

• 低温クエン酸系異方性選択エッチングを用いたGaAs HJFET作製プロセス
• 基板電位印加によるGaAsDCFL回路の温度変動補償
• 超低電圧駆動高速フリップフロップTD-FF
• ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価
• ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価
• ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価
• HJFET非対称埋め込みp層におけるドレインラグのシミュレーション
• HJFETカスコード接続による基板トラップ効果の低減
• GaAs MESFETにおける基板トラップ効果に対する埋め込みp層の影響
• HJFET埋め込みp層におけるドレインラグのシミュレーション

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