浅井 周二 | NEC ULSIデバイス開発本部
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概要
関連著者
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浅井 周二
日本電気(株)
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浅井 周二
NEC ULSIデバイス開発本部
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藤井 正浩
日本電気(株)
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藤井 正浩
Nec光・無線デバイス研究所
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藤井 正浩
Nec光・超高周波デバイス研究所
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藤井 正浩
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NEC光エレクトロニクス研究所
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NEC光・無線デバイス研究所
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筒井 宏彰
NEC ULSIデバイス開発本部
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Nec Ulsiデバイス開発研究所
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河野 通久
NEC ULSIデバイス開発本部
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Nec Ulsiデバイス開発研究所
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及川 洋一
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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大野 泰夫
Nec光エレクトロニクス研究所
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吉田 信秀
NEC光エレクトロニクス研究所
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吉田 信秀
NEC光・無線デバイス研究所
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吉田 信秀
NECデバイスプラットフォーム研究所
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古畑 直規
NEC光エレクトロニクス研究所
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大野 泰夫
Nec
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沼田 圭市
NEC
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NEC光エレクトロニクス研究所
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NEC伝送共通技術本部
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RWC光NEC研究室
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栗栖 正和
NEC C&C LSI開発本部
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釜瀬 文弘
NEC C&C LSI開発本部
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金子 信
NEC C&C LSI開発本部
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荒木 壮一郎
RWC光NEC研究室
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松岡 浩司
RWC超並列計算機アーキテクチャ研究室
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吉川 隆士
Rwcp光インターコネクションnec研究室
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松岡 浩司
日本電気株式会社 C&c メディア研究所
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松岡 浩司
Rwcp並列分散パフォーマンス研究室:(現)nec C&c メディア研究所
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釜瀬 文弘
Nec C&c Lsi開発本部
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金子 信
Nec C&c Lsi開発本部
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吉川 隆士
Nec システムプラットフォーム研
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栗栖 正和
Nec C&c Lsi開発本部
著作論文
- GByte/sクラス skewless並列光インターコネクション (2)
- GaAsLSI用HJFETのVt高制御化
- 10 Gbps光伝送用ECL互換GaAs 8:1 MUX/1:8 DEMUX
- ECL互換GaAs HJFET 10Gbps 8:1 MUX/1:8 DEMUX
- ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価
- ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価
- ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価
- 0.5μm GaAs HJFETを用いた10 Gbps動作低消費電力ソースフォロワレスSCFL D-FF