古畑 直規 | NEC光エレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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古畑 直規
NEC光エレクトロニクス研究所
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藤井 正浩
日本電気(株)
-
浅井 周二
日本電気(株)
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藤井 正浩
Nec光・無線デバイス研究所
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藤井 正浩
Nec光・超高周波デバイス研究所
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浅井 周二
NEC ULSIデバイス開発本部
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大野 泰夫
Nec光エレクトロニクス研究所
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藤井 正浩
NEC光エレクトロニクス研究所
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前多 正
NEC光エレクトロニクス研究所
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前多 正
NEC光・無線デバイス研究所
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大野 泰夫
Nec
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本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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田中 慎一
Nec光・超高周波デバイス研究所
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金 昌佑
NEC光エレクトロニクス研究所
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田中 慎二
日本電気株式会社
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嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
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天宮 泰
日本電気株式会社
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後藤 典夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
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田中 愼一
芝浦工業大学工学部
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嶋脇 秀徳
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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天宮 泰
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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田中 慎一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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後藤 典夫
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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村上 誠一
Nec宇宙開発事業部
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金 昌佑
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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後藤 典夫
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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本城 和彦
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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金 昌佑
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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三好 陽介
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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田中 慎一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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村上 誠一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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天宮 泰
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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嶋脇 秀徳
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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間々田 正行
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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古畑 直規
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
三好 陽介
Nec化合物デバイス事業部
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古畑 直規
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
間々田 正行
NEC光・超高周波デバイス研究所
著作論文
- 再成長外部ベース層を有するミリ波高出力HBTの ベースコンタクトの検討
- p^再成長外部ベースを有するマイクロ波ミリ波高出力HBT
- ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価
- ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価
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