嶋脇 秀徳 | NECマイクロエレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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嶋脇 秀徳
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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天宮 泰
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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NECマイクロエレクトロニクス研究所
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NEC光・超高周波デバイス研究所
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田中 慎一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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Nec光・超高周波デバイス研究所
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芝浦工業大学工学部
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村上 誠一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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間々田 正行
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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金 昌佑
NEC光エレクトロニクス研究所
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NECマイクロエレクトロニクス研究所
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永野 暢雄
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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間々田 正行
NEC光・超高周波デバイス研究所
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NECマイクロエレクトロニクス研究所
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梶原 昭博
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梶原 昭博
防衛庁 第3研究所
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NEC
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洲崎 哲行
NEC光エレクトロニクス研究所
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遠藤 一臣
NEC
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嶋脇 秀徳
Nec
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大田 一樹
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矢野 仁之
NEC光・無線デバイス研究所
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大田 一樹
NECナノエレクトロニクス研究所
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遠藤 一臣
NECナノエレクトロニクス研究所
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岡本 康宏
NECナノエレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
NECナノエレクトロニクス研究所
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宮本 広信
NECナノエレクトロニクス研究所
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三好 陽介
Nec化合物デバイス事業部
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手塚 宏
Nec C&cメディア研究所
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古畑 直規
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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古畑 直規
NEC光エレクトロニクス研究所
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洲崎 哲行
Nec C&cメディア研究所
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洲崎 哲行
Nec C&cメディア研
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矢野 仁之
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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矢野 仁之
Nec光・超高周波デバイス研究所
著作論文
- 94GHz帯HBT MMIC増幅器
- 分極電荷中和構造を用いた高い閾値制御性を有するAlGaN/GaN HFET
- 高出力・高効率K帯HBT
- P+再成長外部ベースを有するHBTプリアンプ
- p^再成長外部ベースを有するマイクロ波ミリ波高出力HBT
- 25GHz帯HBT高出力増幅回路の検討
- 40Gb/s光伝送用HBTプリアンプ