分極電荷中和構造を用いた高い閾値制御性を有するAlGaN/GaN HFET
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概要
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- 2010-03-26
著者
-
嶋脇 秀徳
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
大田 一樹
NEC光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
NEC
-
安藤 裕二
NEC
-
岡本 康宏
NEC
-
遠藤 一臣
NEC
-
嶋脇 秀徳
Nec
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大田 一樹
Nec
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大田 一樹
NECナノエレクトロニクス研究所
-
遠藤 一臣
NECナノエレクトロニクス研究所
-
岡本 康宏
NECナノエレクトロニクス研究所
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安藤 裕二
NECナノエレクトロニクス研究所
-
宮本 広信
NECナノエレクトロニクス研究所
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