フノールドプレート付き高耐圧AlGaN/GaNヘテロ接合FETの評価
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概要
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SiC基板上に、一体型フィールドプレート(FP)ゲートを有するAlGaN/GaN系ヘテロ接合FETを作製した。FP長(L_FP)増加と共に、耐圧が改善され、L_FP≧1μmにてImax>700mA/mm、BVgd>100Vを得た。また、動作電圧80Vまで電流コラプスは無視し得るレベルであった。オンウェーハ・ロードプル測定(f=2GHz、CW)により、Wg=1mmのFP構造素子にて、Psat=7.1W、GL=15.3dB、PAE=56.0%を得た(Vdd=30V)。出力密度7.1W/mmはWg=1mmクラスのGaN系素子としては世界最高レベルの値である。
- 2002-10-03
著者
-
井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
NEC光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
ULSIデバイス開発研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
宮本 広信
NEC
-
安藤 裕二
NEC
-
岡本 康宏
NEC
-
中山 達峰
NEC光・無線デバイス研究所
-
宮本 広信
NEC光・無線デバイス研究所
-
安藤 裕二
NEC光・無線デバイス研究所
-
中山 達峰
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
岡本 康宏
NEC光・無線デバイス研究所
-
井上 隆
NEC光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
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