MoTiPtAu電極を用いた高信頼ミリ波HIFET
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概要
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GaAs系へテロ接合FET(HJFET)を用いたミリ波帯高性能MMKCの研究が各所で検討されている。こうしたMMICの実用化では、基本素子であるHJFETの高性能化と高信頼化が重要である。デバイスの高信頼化には熱的安定性が高く、低ダメージのゲート形成技術が不可欠である。今回我々は、電子銃蒸着とリフトオフ法を用いてMoTiPtAu系ゲートプロセスを確立し、0.15μmT型ゲートをもつHJFETを再現性良く作製することに成功した。このデバイスの初期特性及び信頼性を検討し、良好な結果が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
井上 隆
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
舟橋 政弘
Nec システムulsi開発本部
-
冨士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
堀 恭子
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
舟橋 政弘
日本電気(株)
-
細谷 健一
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
Nec 関西エレクトロニクス研
-
恩田 和彦
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
-
堀 恭子
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
富士原 明
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
丸橋 建一
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
舟橋 政弘
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
細谷 健一
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
井上 隆
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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