AIGaAs/InGaAsヘテロ接合FETを用いた60GHz帯低雑音増幅器
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概要
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我々は、小型、低コストのミリ波通信システムの実現に向けて、高性能MMICを基にしたミリ波モジュールの研究関発を行なっている。今回、60GHz帯で動作する2段低雑音増幅器MMICと、MMICが2チップ縦続接続された低雑音増幅器モジュールを試作し、良好な特性が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
丸橋 建一
日本電気(株)
-
井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
井上 隆
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
舟橋 政弘
Nec システムulsi開発本部
-
葛原 正明
日本電気(株)光・無線デバイス研究所
-
舟橋 政弘
日本電気(株)
-
マディヒアン モハマド
日本電気(株)c&c研究所
-
舟橋 政弘
Nec東芝スペースシステム株式会社宇宙機器本部
-
井上 隆
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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