高信頼化技術C0METを用いた高利得低雑音InAlAs/InGaAsHJFET
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概要
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AlGaAs/GaAs系HEMTを越える性能をもつInAlAs/InGaAs系HEMTの開発が実用化に向けて進められているが、信頼性に関しての報告は少ない。我々は、InAlAs/InGaAs系FET主要な劣化要因のひとつである電極金属と半導体の相互拡散に着目し、コンタクト金属としてモリブデン(MO)を用いた完全モリブデン電極技術"COMET"の研究開発を進めており、本技術を用いたHJFETの優れた初期信頼性を既に確認した。今回は、COMET-HJFETの低雑音デバイスとしての可能性を調べる意味で、徴細ゲートデバイスに対する性能評価を行ったので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
恩田 和彦
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
水木 恵美子
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
宮本 広信
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
-
富士原 明
日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所
-
冨士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
日本電気(株)光・無線デバイス研究所
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恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
-
恩田 和彦
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所超高速デバイス研究部
-
水木 恵美子
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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