水木 恵美子 | 日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

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概要

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関連著者

• 恩田 和彦

  日本電気株式会社化合物デバイス事業部

• 水木 恵美子

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 冨士原 明

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 中山 達峰

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 佐本 典彦

  日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所

• 佐本 典彦

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 恩田 和彦

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 水木 恵美子

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 恩田 和彦

  日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所超高速デバイス研究部

• 分島 彰男

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  NEC化合物デバイス事業部

• 金森 幹夫

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 田中 愼一

  日本電気(株)光・無線デバイス研究所

• 中山 達峰

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 田中 愼一

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 葛原 正明

  日本電気(株)光・無線デバイス研究所

• 中山 達峰

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 宮本 広信

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 山之口 勝巳

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 中山 達峰

  日本電気株大会社光・無線デバイス研究所

• 宮本 広信

  日本電気株大会社光・無線デバイス研究所

• 葛原 正明

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 分島 彰男

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 佐本 典彦

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 恩田 和彦

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 冨士原 明

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 分島 影男

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 富士原 明

  日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  (財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター

• 宮本 広信

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 水木 恵美子

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  ULSIデバイス開発研究所

• 富士 原明

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 安藤 裕二

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 堀 恭子

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• 丸橋 建一

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• 金森 幹夫

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 冨士原 明

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 恩田 和彦

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 水木 恵美子

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 中山 達峰

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 恩田 和彦

  日本電気関西エレクトロニクス研究所

• 葛原 正明

  日本電気関西エレクトロニクス研究所

• 冨士原 明

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 中山 達峰

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 富士原 明

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 恩田 和彦

  化合物デバイス事業所

• 安藤 裕二

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 水木 恵美子

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 恩田 和彦

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 佐本 典彦

  NEC(株)関西エレクトロニクス研究所

• 冨士原 明

  日本電気関西エレクトロニクス研究所

• 宮本 広信

  日本電気関西エレクトロニクス研究所

• 水木 恵美子

  日本電気関西エレクトロニクス研究所

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  日本電気関西エレクトロニクス研究所

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著作論文

• InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETの高信頼化
• 高信頼AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFETの高周波特性
• InAlAs/InGaAs系HJFETのNs劣化メカニズム
• In(Al_Ga_x)As 層をもつ InAlAs/InGaAs 系 HJFET の熱的安定性
• AlAs/InAs超格子挿入型InAlAs/InGaAs系HJFET(SPRINT)のマイクロ波帯雑音特性
• InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FETに於けるデバイス特性のチャネル組成依存性
• AlAs/InAs挿入型InP-HJFETを用いた60GHz帯コプレーナ低雑音増幅器
• AlAs/InAs挿入型InP-HJFETを用いた60GHz帯コプレーナ低雑音増幅器
• AlAs/InAs挿入型InP-HJFETを用いた60GHz帯コプレーナ低雑音増幅器
• プレーナドープHJFETのノンアロイ接触抵抗率解析
• InAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FET用高信頼オーミック電極
• 高信頼性高性能InAlAs/InGaAs HJFET
• 高信頼化技術C0METを用いた高利得低雑音InAlAs/InGaAsHJFET

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