高信頼性高性能InAlAs/InGaAs HJFET
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概要
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In_0.53>Ga_0.47>As, In_0.8>Ga_0.2>As/In_0.53>Ga_0.47>Asからなる変調組合チャネルを持つInAlAs/InGaAs系ヘテロ接合FET(HJFET)を作製し、235GHzの電流利得遮断周波数f_T(Lg=0.15μm)を得た。遅延時間解析の結度、In_0.53>Ga_0.47>Asのみからなるチャネルを用いた場合と比較して電子走行速度が向上すること、および、この高いf_Tは電子濃度増加よりも電子走行速度向上の寄与が主であることを確認した。一方、この材料系のデバイスの信頼向上のため、Mo/Ti/Pt/Auからなるオーミック・ゲート電極を検討した。この電極構造では、電極/半導体間の相互拡散を抑制した結果、従来構造よりも大幅に信頼性が向上することを確認した。これらの技術を統合することにより、高信頼かつ高性能なデバイスが可能となる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-11
著者
-
冨士原 明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
堀 恭子
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
-
恩田 和彦
日本電気関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
日本電気関西エレクトロニクス研究所
-
水木 恵美子
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
冨士原 明
日本電気関西エレクトロニクス研究所
-
宮本 広信
日本電気関西エレクトロニクス研究所
-
水木 恵美子
日本電気関西エレクトロニクス研究所
-
堀 恭子
日本電気関西エレクトロニクス研究所
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