GaAs FETモンテカルロ・シミュレータを用いた大信号動作解析
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概要
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モンテカルロ・デバイスシミュレータに出力整合回路を含む負荷回路を接続することにより、GaAsFETの大信号動作解析を行なった。本手法では、デバイス構造の違いによる大信号特性解析を容易に行なえる。またゲート・ドレイン間のトンネル電流の考慮により、高電圧側におけるドレイン電流増加に伴う負荷線の特徴的な動きも示すことができた。さらに増幅動作時における衝突イオン化解析も可能とした。本手法が整合回路を含めた高出力特性解析だけでなく、増幅動作時のデバイス内の物理現象解明にも利用可能であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-08-26
著者
-
葛原 正明
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
Contrata W.
NEC光・無線デバイス研究所
-
佐本 典彦
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
安藤 裕二
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
安藤 裕二
Nec 光・無線デバイス研究所
-
堀 恭子
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
Contrata Walter
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
ウォルター コントラッタ
Nec関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気株式会社関西エレクトロニクス研究所
-
佐本 典彦
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
Contrata Walter
Nec光・無線デバイス研究所
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