物理デバイスを組み込んだ回路シミュレーション
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概要
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現実的な周辺回路と2次元GaAs FETモンテカルロモデルを連結した大信号シミュレーションを行った。FETと回路を時間領域で扱った。小信号モデルとDC特性を用いて、出力パワーとゲインを重視して回路を設計した。計算したパワー特性は実測に近い。振幅と位相歪特性(AM-PM)を用いて、IMDを見積もった。振幅歪がIMD3とIMD5を支配した。AM-PMとRF I-V特性に密着な関係がある。この連結したシミュレーション方法は、デバイス・回路開発時間を短縮する展望がある。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-15
著者
-
Contrata W.
NEC 光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
NEC 光・無線デバイス研究所
-
Contrata W.
NEC光・無線デバイス研究所
-
葛原 正明
(財)新機能素子研究開発協会 先進高周波デバイスr&dセンター
-
安藤 裕二
Nec 光・無線デバイス研究所
-
Contrata Walter
日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所
-
Contrata W
日本電気株式会社 光・無線デバイス研究所
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